Carbo carbonis pyrolyticus, interdum graphiticus pyrolyticus dictus, est materia metatable inter graphite et carbo amorpho media, formata a vaporibus chemicis depositionis processu vaporum carbo-continentium (maxime gasorum hydrocarbonorum) in alta temperaturae superficie subiecti. (Thermodynamice, graphita est materia solida carbonis cum infimis Gibbs energiae liberae).
Processus formandi solidam tunicam a praecursore chemica reagitando componit sub certis conditionibus processuum et ea deponendo in superficie subiecti ut liniatur, depositio vapor chemicus appellatur. Schematicum schematicum principalium gradus processus depositionis vaporis chemici infra ostenditur:
(1) Praecursor zonam reactionem intrat;
(2) Praecursor reactionem gas-phasianam patitur ad formas intermedias productas;
a. Cum temperatura in zona reactionis alta vel in regione procul ab depositione substrata est, producti intermedii reactionem gas-phasi subire pergunt, solidam pulveris et volatilium productorum in gas phase efformant. a. Pulvis solidus in superficie depositionis substrato dispersus situs nucleationis fiet pro depositione superficiei, et per productiones volatiles diffunduntur a zona reactionis;
b. Cum temperatura in zona reactionis est humilis vel in area proxima depositionis substratae, producta media in superficie subiecta diffundunt, et sequentes gradus occurrunt;
(3) Intermedia producta in superficiem subiectam adsorbent, heterogeneam subeundo reactionem ad depositionem productorum activorum et byproductorum producendorum;
(4) Depositio producta activa diffusa in superficie depositionis substratae, coacervatae ad formam continuam efficiendam;
(5) Gas-phase byproducts aream prope depositionem subiectam exeunt;
(6) Reactionem materiae rudis vapores et reactiones byproducts zonam reactionem relinquere.
Formatio carbonis pyrolytici est processus reductionis entropiae irreversibilis, in quo atomi carbonis ex inordinatione in ordinem mutant et a statu gaseoso ad statum solidum in calidis temperaturis. A ultimis thermodynamicis chemicis directione gubernatur, attamen per vias motu motuum microstructuram non aequilibrium retinet. Alta huius processus intellectus non solum materiale fundamentum pro compositis carbon-carbonis, calidis coatingis, et nuclei vestimentorum nuclei fundamentum ponit, sed etiam duplicem paradigma praebet fabricae experimentalis et theoricae ut carbonis sub extrema condicione exsistentiae.
Pyrolyticus carbonis pyrolysis hydrocarbonum in an oxygen-free ambitus 1200-1400℃ summus temperatus praeparatur. Verticalis lectum reactoris fluidatum adhibetur, et processus sequentes gradus implicat: gas iners (nitrogen vel helium) ab imo introducitur tubus reactionis ad particulas refractarias fluidize; inductio externa coil contenta motus tubi calefacit; et vapores hydrocarbon ad pyrolysin reactionem inchoandam adduntur.
Carbo pyrolyticus maxime adhibetur ut summus temperatus tutelaris tunicae, valvulae cordis, tunicae biomateriales, et tunicae tutelae pro sphaerarum nuclei reactor cibus, et late applicatur in tutela campi scelerisque, energiae nuclearis utendo, et biomedicina.
Silicon, ut materia communissima semiconductor, late in electronicis et photovoltaicis, praesertim in silicon crystallino pro cellis solaris, ubi altae photoelectricae conversio efficientia nucleum componentem efficit. Methodus Czochralski imprimis ad Pii unum crystallum praeparandum adhibitus est. Haec methodus, magna cum efficientia productionis, processus moderabilis incrementi, et utilitates moderandi dolens, late in singulis productionibus pii crystalli tam domestice quam internationaliter adhibetur. Tamen, ut crystalli amplitudo crescit, sumptus agri scelerisque graphite etiam paulatim augetur. Praesertim in ambitu vaporum Pii, partes graphitae obnoxiae sunt corrosioni, ducens ad apparatum vitalem abbreviatum. Ad has quaestiones compellare inquisitores elaboraverunt corrosio-repugnantiae materiae carbonis, ut carbonis pyrolytici (PyC), carbidi siliconis (SiC), et carbidi tantalum (TaC) coatings, ut vitam carbonis materiae emendare in ambitus mordax summus temperatus.
Cao studuit silicidis corrosioni graphitae G330 et AC200C/C compositarum in fornacibus Pii cristalibus simplicibus adhibitis. Poros apertos ab interiore graphite usque ad superficiem extensos concluserunt vias exesionis et diffusionis Pii fusilis praebere, accelerando processum silicicum materiae carbonis.
Zhao carbonem pyrolyticum (PyC) efficiens in superficie graphite utens depositione vaporum chemicorum reposuit. Inde efficiens PyC tunicam graphite subiectam complevit et structuram densam ostendit sine porositate significante vel microcracks penetrans. Postquam materia graphite obducta tractavit in vaporum siliconum etching ambitu ad 1600℃ per 2 horas, morphologiam crucis sectionem de tunica et eventus testium EDX in figura infra monstrantur. Figuram ostendit etiam post Pii enthecam, litura substrata superficiei sine rimas manifestas arcte adhaerere. Distributio elementaris carbonis et pii in superficie nullam fere siliconam distributionem sub PyC coating ostendit, praestantem suum effectum tutelae in graphite substrato indicans.
Figure - Crux-sectionalis morphologiam graphiticam PyC-coated post Pii etching
Semicorex suppeditat summus qualitas nativus TyC/SiC/TaC partium efficiens in semiconductor applicata. Ad solutiones nativus vel informationes technicas adiectis, placet liberum contactus nostri machinalis quadrigis.
Phone: +86-13567891907
Email: sales@semicorex.com