Graphite cruces

Semicorex graphite cruces sunt discrimine components in semiconductor vestibulum processus, praecipue per crystallum incrementum gradu. Haec altus-perficientur continentia sunt machinator ut resistere extrema condiciones requiritur ad producendum summus puritas Silicon aut compositis semiconductor crystallis per modos ut CZochralski (CZ) processum vel in supernatet zonam (FZ).

A major functio autem graphite cruces est resistere et firmamentum maxime altum temperaturis, typice supra MM ° C, ubi tertius-generationem semiconductor materiae ut Silicon carbide et Gallium Nitride sunt Saepe Synhested. Cristi ex summus puritas graphite exhibent optimum resistentiam ad altum temperaturis maintaining eorum physica et eget civitatibus in tali gradibus sine aliqua forma compositione vel etiam metamorphosis. Bonum scelerisque conduction per graphite crux significat quod non solum mores æstus uniformiter sed etiam extruxerat stabilis temperatus agro. Hoc est in ludo crystibus in liquescens et crystallization processus cum uniformis temperatus distribution et permittere incrementum materia sub magis vel minus equivalent condiciones, ita reducing crystallum defectus et permittens qualitas semiconductor crystallum.

In Silicon carbide vel Gallia Nitride crystallum incrementum processus (ut vapor phase epitaxy cvd aut physica vapor onerariam Pvt), Graphite Crucibles sunt ad tenere rudis materiae et provide imperium incrementum environment. Et chemical inertness in cruce ensures quod non chemica reagit cum semiconductor material ad altum temperaturis, ita maintaining excelsum puritatem materiae. In eodem tempore, bonum scelerisque conductivity de Graphite Crucible adjuvat ad formare uniformis temperatus gradiente, providing specimen condiciones ad crystal incrementum et reducing impudicitiis et structural defectus.

In eget inertness in Graphite cruces est a key pluma in purificatione semiconductor materiae. Eius summus puritas graphite materia potest segregare externa pollutio et ne impudicitiis ex intrantes in fomitem semiconductor materia. Superficies graphite cruce potest etiam non iactaret (ut Silicon carbide coating) ad augendae eius oxidatio resistentia et corrosio resistentia, ulterius cursus excelsum puritatem et stabilitatem productio processus.