Sinae Wafer Manufacturers, Suppliers, Factory

Quid est laganum semiconductor?

laganum semiconductor est tenue, rotundum segmentum materiae semiconductoris quae fundamentum est ad fabricandas circulorum integrarum (ICs) et aliarum electronicarum machinarum. laganum superficies plana et uniformis praebet, in qua variae partes electronicae aedificantur.

laganum processus fabricandi plures gradus involvit, in quibus magnum crystallum desideratae materiae semiconductoris crescens, crystallum in lagana tenuissima dividens vidit adamantem utens, et lagana poliens et purgans, ut omnes defectus vel sordes superficiei removerent. Unctio lagana est superficies plana valde et lenis, quae pendet in processibus fabricis subsequentibus.

Cum lagana parantur, seriem processus semiconductoris fabricandi subeunt, ut photolithographiam, etchingae, depositionis et dopinge, ad intricatas formas et strata conficienda, ad componentes electronicas fabricandas requiruntur. Hi processus pluries iterantur in uno lagano ad multiplices cursus integros vel alias machinas creandas.

Post processum fabricationis completum, singula astulae laganum per lineas praedefinitas aleas separantur. Astulae separatae tunc fasciculatae sunt ad eas tuendas et electricas nexus ad integrationem in electronicas machinas praebendas.

Alia materia in laganum

lagana semiconductor principaliter fiunt ex silicon-crystal silicone propter eius abundantiam, excellentes electricas proprietates, et convenientiam cum processibus fabricandis semiconductor vexillum. Nihilominus, secundum certas applicationes et necessitates, alia materia ad lagana adhiberi potest. Exempla hic sunt;

Pii Carbide (SiC): SiC est late bandgap semiconductor materialis nota ob optimam conductionem scelerisque et summus temperaturae effectus. lagana SiC in electronicis machinationibus potentiae altae adhibentur, ut potentia convertentium, inverters, et electrici in compositionibus vehiculorum.

Gallium Nitride (GaN): GaN est fascia late-semconductoris materiae cum facultate eximia tractandi facultates. GaN lagana in instrumentis electronicis potentiae producendis adhibentur, amplitudines altae frequentiae, et LEDs (diodes levis emittens).

Gallium Arsenide (Gaas): Gaas alia est communis materia ad lagana adhibita, praesertim in applicatione alta frequentia et celeritate magno. GaAs lagana melius pro quibusdam machinis electronicis perficiendis praebent, ut RF (frequentiae radiophonicae) et proin machinas.

India Phosphide (InP): InP est materia mobilitatis optimae electronicae et saepe in machinationibus optoelectronic sicut lasers, photodetectors et velocitas transistorum adhibetur. InP lagana apta sunt applicationibus in communicatione fibra-optica, communicatione satellitum, et celeritas data tradenda.