Semicorex graphite centri bracteae seu MOCVD susceptor puritatis pii carbide alta est methodo chemico vaporis depositionis (CVD) obducta, utens in processu ad incrementum epitaxiale in lagana spumae. SiC susceptor obductis est pars essentialis in MOCVD, ideo superiorem calorem et chemicam resistentiam postulat, ac altam uniformitatem scelerisque. Praecipue machinatum habemus ad has applicationes apparatum epitaxy flagitantis.