Alta Munditia SiC Cantilever Paddle

Semicorex puritas alta SiC paxillum cantileverPii Carbide tellusfere pro SiSiC. SiC a processu infiltration pii producto est, pro- cessu qui datPii carbide tellusmateriae melioris vi et effectu. SiC paxillum altae pudicitiae a figura cantilever nominatur, longa habena, flabello laterali. Figura designata est ad laganum horizontalem sustinendam in fornace caliditas.

Maxime adhibetur in oxidatione, diffusione, RTA/RTP in processu vestibulum semiconductoris. Ita atmosphaera est oxygenium (gas reactivum), nitrogen (scutum gas), et parva copia chloridi hydrogenii. Temperatura est circiter 1250°C. Sic oxidatio summus temperatus est in environment. Quaeritur partem in hac environment oxidationis reluctans et sub caliditate stare potest.

Semicorex altae puritatis SiC paxillum cantileverum ab 3D impressis factum est, ut una corona plumbi est, et potest occurrere magnis exigentiis pro magnitudine et processui. Cantileverus paxillum per 2 partes, corpus et tunicam fiet, Semicorex immunditiam content <300pm corpori praebere potest, et <5ppm pro CVD SiC coatingit. Superficies igitur est ultra altam puritatem, ne immunditias et contaminantium introducat. Etiam materia magna scelerisque concussa resistentia, figura manere in longa vita.

Semicorex processus vestiendi valde pretiosus perficit. Quoad corpus SiC, primum materiam crudam paramus et pulverem SiC miscemus, deinde fingam et machinam ad ultimam figuram facimus, posteaquam partem ad densitatem et multas chemicae proprietates emendare valebimus. Agmen formatur et inspectionem ipsius ceramici faciemus et ad dimensionem exigentiam. Post haec magna dictum faciemus. Retaculum cantileverium in ultrasonicis instrumentis pone ad purgandum pulverem, oleum in superficie removendum. Purgato, cantilever paxillum puritatis SiC in clibano siccescente pone et coque ad 80-120°C per 4-6 horas donec aqua siccetur.

Inde in corpus membrana CVD facere possumus. Temperatus coating 1200-1500 est, et apta calefactio curvae eligitur. Ad caliditatem, fons Pii et fons carbonii agunt chemica ad particulas nano-scale generandas. Particulae SiC continue in superficie ipsius depositae sunt

partem formare densum tenui SiC. Crassitudo coatingis plerumque 100±20µm est. Post finem, ultima productorum inspectione ordinetur, ad fructus species, puritatem, dimensiones, etc.