ICP Silicon Carbon Coated Graphite

Semicorex's ICP Silicon Carbon Coated Graphite est specimen electionis pro lagano tractando et tenuibus processibus depositionis cinematographicis. Productum nostrum gloriatur superior calor et corrosio resistentia, etiam uniformitas scelerisque, et laminae melioris gasi exemplaria fluunt.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Azyma portantium in processu epitaxiali adhibita temperaturae altae et durae chemicae purgatio tolerare debet. Semicorex ICP Silicon Carbon Coated Graphite susceptores machinati sunt specialiter ad has applicationes apparatum epitaxy flagitantes. Productum nostrum machinatum est ut altae temperaturae et durae chemicae purgatio sustineat, longitudinis et optimales eventus procurans.
Noster ICP Silicon Carbon Coated Graphite destinatur ad optimam laminam gasi fluens exemplar consequendum, aequabilitatem profile scelestae procurans. Hoc adiuvat ne quis contagione vel immunditiae diffusionem praestet, ut summus qualitas incrementi epitaxialis in lagano chip.
Contactus nos hodie ut plura de nostro ICP Silicon Carbon Coated Graphite discamus.

Parametri ICP Pii Carbon Coated Graphite

Specificationes principales de CVD-SIC Coating .
Sic-CVD Properties
Crystal Structure	FCC β phase
Densitas	g/cm	3.21
duritia	Vickers duritia	2500
Frumenti Size	μm	2~10
Puritas chemica	%	99.99995
Calor Capacity	J kg-1 K-1	640
Sublimatio Temperature	℃	2700
Fortitudo Felix	MPa (RT 4-punctum)	415
Modulus	Gpa (4pt bend, 1300℃)	430
Scelerisque Expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Scelerisque conductivity	(W/mK)	300