Application missiones pro Epitaxial Stratis

Scimus porro epitaxiales stratas super quibusdam lagani substratis fabricandis fabricandis opus esse, de more ductus leves emissiones machinas, quae requirunt stratis epitaxialibus GaAs super substratis pii; SiC epitaxiales stratae supra substratae conductivorum SiC substratae sunt ad fabricandas machinas ut SBDs, MOSFETs, etc. ad alta intentione, alta vena et aliae potentiae applicationes; GaN stratis epitaxialibus super semi-insulandis SiC subiectis constructis super HEMTs aliisque RF applicationibus exstruuntur. GaN stratum epitaxiale super semiinsulatum SiC subiectum aedificatur ut HEMT cogitationes ulterius construas pro applicationibus RF ut communicationis socialis.

Hic uti necesse estCVD apparatibus(sane sunt aliae methodi technicae). Depositio Vaporis Chemical Organici Metallis (MOCVD) uti est Group III et II elementis et Group V et VI elementis ut materies fons et ea in substrata superficie deposita per reactionem scelerisque compositionis ad varias graciles ordines Group III-V crescere (GaN, GaAs, etc.), Group II-VI (Si, SiC, etc.) et multiplices solutiones solidae. et multi-strati solutiones solidorum tenuium materiae simplicium cristalium sunt praecipua media quae machinas optoelectronic, proin machinas, materiae machinas potentias efficiunt.