Genera SiC ceramics

Silicon carbide (SiC) ceramicum est genus materiae ceramicae provectae notum ob proprietates eximias et amplitudinem applicationum. Constat ex atomis Pii (Si) et carbonis (C) in cancellis crystallinis dispositis, ex materia dura et valida cum praestantia scelerisque et electrica conductivity.

Ob praecipuas possessionesprinceps scelerisque conductivity et duritiem, SiC ceramicus applicationes in variis industriis invenit, inclusa autocineto, aerospace, industria generationis et repositionis, electronicarum, defensionis, et multorum aliorum. Ponitur in componentibus sicut gestus, sigilla, nozzes, instrumenta secanda, elementa calefacientia, sensoriis et armatura.

Notatu dignum est ceramicos SiC per varios modos fabricandi, inclusos recrystallized (RSiC) produci posse;reactionemsintered (RBSic);pressa sintered (SSiC), Si3N4 religata (NBSic) et oxydatum religatum (OSiC). Diversae fabricationis artes diversis gradibus SiC ceramicorum variis ceduntmicrostructureset proprietates ad usus proprios applicationes.

Recrystallata carbida pii cum SiC coating altam puritatem habet et bene eligit ad partes semiconductores faciendas, ut lintres lagani, paddles cantilever, etc. Reactio carbida silicon-inpressa et carbida siliconis pressa apta sunt ad partes mechanicas faciendas, sicut annulos signatos, rubicundos. et gestus, etc. Nitratio religata et oxydatum religatum carbide pii in semiconductore plerumque non adhibetur, sunt bonae ad supellectilem fornacem faciendam.