Quid est CVD pro Sic

Depositio vapor chemicus, seu CVD, usus communis est modus creandi membranas tenues in fabricandis semiconductoribus adhibitas.In contextu SiC, CVD significat processum crescendi membranas SiC tenues vel tunicas per reactionem chemicae praecursorum gaseorum in subiecto. Gradus generales in SiC CVD implicati sunt hoc modo:

Praeparatio Substratum: Subiectum, laganum pii, purgatum et paratum est ut superficies munda pro depositione SiC.

Praecursor gas praeparatio: Praecursores gaseoti cum siliconibus et carbonibus atomi continentur. Praecursores communes silane (SiH4) et methylsilane (CH3SiH3) includunt.

Reactor paro: Subiectum intra cubiculum reactor positum est, et cubiculum evacuetur et purgatur gas iners, ut argon, ad immunditiam et oxygenium removendum.

Processus depositionis: Gas praecursor introducuntur in cubiculum reactoris, ubi motus chemicas ut in superficie subiecta SiC formant. Motiones de more exercentur in temperaturis calidis (800-1200 gradus Celsius) et sub pressione moderata.

Augmentum cinematographicum: Pellicula SiC in subiecta sensim crescit sicut gasorum praecursoris agunt et atomi SiC deposit. Augmentum rate et cinematographica proprietates variis processibus parametri affici possunt, sicut temperatura, praecursoris concentratio, rates fluens gas, et pressura.

Refrigerium et post-tractatio: Postquam desideratus crassitudo cinematographici effectum est, reactor defervescit, et substratum SiC bitumine sublatum est. Additae post curationis gradus, ut furnum vel superficies expolitio, perfici possunt ad augendas proprietates cinematographicae vel defectus aliquos removendos.

SiC CVD precise permittit potestatem movendi crassitudinem, compositionem, et proprietates. Late in semiconductore industriae ad machinas electronicas gignendas SiC fundandas adhibetur, ut summus potentiae transistores, diodes et sensores. Processus CVD depositionem dat uniformis et altae qualitatis SiC membranae cum praestantia conductivity et scelerisque stabilitate electrica, eamque aptam facit variis applicationibus in potentia electronicis, aerospace, autocinetis et aliis industriis.

Semicorex major in CVD SiC producta cum obductislaganum possessor / susceptor, Sic partes, etc.