Quid technica difficultates sic crystallum incrementum fornacem

Crystal incrementum fornacem est core apparatu ad incrementum Silicon carbide crystallis. Simile est traditional crystallina Silicon-gradus crystallum incrementum fornacem. Fungi structuram non ipsum turpis. Est maxime composito ex fornacis corporis, calefactio ratio, coil transmissione mechanism, vacuo acquisition et mensurae ratio, Gas iter ratio, refrigerationem et processus condictionibus determinare clavem indicia ut qualitas, magnitudine determinare, et conductivity in siccitatem, et condictionibus, et conductivity in siccitatem, et condictionibus, et conductivity in siccitate, magnitudine, et conductivity in siccitate, magnitudine et conductivity ut qualis est, et condictionibus, et conductivity in siccitatem, magnitudine et conductivity in siccitatem, et condictionibus, et conductivity in siccitate, magnitudine et conductivity in siccitatem, et condictionibus, et conductivity in siccitate, et condictionibus, et conductivity in siccitate, et condictionibus determinare in siccival, et condictionibus et condiction in siccitatem, et in Crystalli.

De una parte, temperatus in incrementum Silicon Carbide Crystals est valde altum et non monitored, ita pelagus difficultas iacet in processus ipsum. Pelagus difficultates ut sequitur:

(I) difficultas in scelerisque agro imperium: et vigilantia de clausis summus temperatus cubiculum difficile et impotenti. Unlike traditional silicon-based solution-based direct-pull crystal growth equipment, which has a high degree of automation and the crystal growth process can be observed, controlled and adjusted, silicon carbide crystals grow in a closed space in a high-temperature environment above 2,000°C, and the growth temperature needs to be precisely controlled during production, which makes temperature control difficult;

(II) difficultas in crystal forma imperium: defectus ut micropipes, Polymorphic inclusions, et CONVOLSUM sunt prone ad fieri per incrementum processus, et afficiunt et evolve per se. Micropipes (MPs) sunt per-genus defectus vndique a paucis microns ad decem microns in magnitudine, et interfectorem defectibus ad cogitationes. Silicon carbide unum crystallis includit plus quam CC diversis crystallo formas, sed solum a paucis crystal structurae (4h type) sunt semiconductor materiae requiritur ad productionem. Crystal forma transformatio est prone fieri per incrementum, unde in polymorphic inclusion defectus. Unde necesse est ad pressius imperium parametri ut Silicon-ipsum Ratio, incrementum temperatus gradiente, crystallum incrementum rate, et aer fluxus pressura. In addition, ibi est temperatus gradiente in scelerisque agro Silicon carbide unum crystallum incrementum, quae ducit ad indigena internus accentus et inde eventus (basi planum peccatur, ita afficiens) per Crystal et inedia et cogitationes et in crystallum, ita afficiente et cogitationes.

(III) Difficultas in Doping Imperium: Introductio externa immunditia est stricte ad obtinendum a PROLIXUS crystal cum directionally doped structuram.

(IV) Tardus incrementum rate: et incrementum rate of Silicon carbide est valde tardus. IMPEDITUS Silicon Materials tantum opus III diebus ad crescere in crystal virga, dum Silicon carbide crystal virgas postulo VII diebus. Hoc ducit ad naturaliter inferior Silicon carbide productio efficientiam et valde limitata output.

In alia manu, in parametri requiritur ad Silicon carbide epitaxial incrementum sunt maxime altum, comprehendo airtightness in apparatu, in stabilitatem gas pressura in reactionem ad thalamum, et stabilitatem in Gas pressura in reactionem ad tempus, et prishatu temperatus et stricte administratione de depositione temperatus. In particulari, cum emendationem in fabrica in voltage rating, difficultas moderantum core parametri epitaxial laganum habet auctus significantly. Praeterea, sicut in crassitudine epitaxial accumsan crescit, quam ad control ad uniformitatem repugnans et reducere defectum density dum ensuring crassitudine aliam maiorem provocationem. In electrified imperium system, necesse est ad integrate summus praecisione sensoriis et actuators ut variis parametri potest verius et stabiliter regitur. In eodem tempore, ad optimization de potestate algorithm est etiam crucial. Oportet esse potest ad adjust in potestate belli in realem tempus secundum ad feedback signum ad aptet ad variis mutationes in Silicon carbide epitaxial incrementum processus.

Semicorex offert summus puritas customizedCERAMICUSetGraphitecomponents in sic crystallum incrementum. Si vos have ullus inquisitione aut opus additional details, placere non dubitant ad adepto in tactus nobiscum.

Contact Phone # + 86-13567891907

Email: Sales@Sicorex.com