SiC Epitaxy

Epitaxiae duo genera sunt: ​​homogenea et heterogenea. Ut machinas SiC cum specificis resistentia et aliis parametris ad diversas applicationes producendas, subiectae condiciones epitaxiae occurrere debent antequam productio incipiat. Qualitas epitaxy afficit artificium effectum.

Sunt hodie duae principales modi epitaxiales. Prima epitaxia homogenea est, ubi cinematographicum SiC in substratum conductivum SiC crevit. Hoc imprimis adhibitum est pro MOSFET, IGBT, et aliis campis semiconductoris potentiae altae intentionis. Secundum incrementum heteroepitaxicum est, ubi cinematographicum GaN in semi-insulante SiC subiecta est. Hoc adhibitum est pro GaN HEMT et aliis vis semiconductoribus humilis et mediae intentionis, necnon frequentia radiophonica et artificia optoelectronic.

Processus epitaxiales includunt sublimationem seu excessum vaporum corporis (PVT), epitaxiae hypotheticae (MBE), epitaxiae liquidae periodi (LPE), et vapor chemicus periodus epitaxy (CVD). Momentum homogeneum SiC productio epitaxialis amet H2 ut tabellarius gas, silane (SiH4) et propane (C3H8) ut fons Si et C. SiC moleculae per reactionem chemica in thalamo praecipitato producuntur et in substrata SiC deposita sunt .

Praecipuae ambitus epitaxiae SiC includunt crassitudinem et unionem dopingere uniformitatem. Sicut in amni fabrica application missionis intentionis crescit, crassitudo iacuit epitaxialis sensim augetur et deminutio detentio decrescit.

One limiting factor in SiC capacitatis constructionis est epitaxial instrumentum. Apparatus incrementi epitaxialis nunc monopolitus est ab LPE Italiae, AIXTRON Germaniae, et Nuflare Iaponiae et TEL. Princeps temperatus amet instrumenti epitaxialis SiC cycli traditio productus est ad annos circiter 1.5-2.

Semicorex partes SiC praebet instrumento semiconductoris, ut LPE, Aixtron, et etc. Si quaestiones habes vel singularia alia requiras, quaeso ne dubita nobiscum attingere.

Contactus telephonicus # +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com