TaC Coating Crucible pro AlN Crystal Denuo

Tertia generatio materiae semiconductoris AlN pertinet ad bandgap directae semiconductoris, eius vero 6.2 eV, magna conductivity, resistivity, naufragii campi virium, necnon stabilitatis chemicae et scelestae optimae, non solum magna est lux caerulea, materia ultraviolacea. , vel electronic cogitationes et ambitus integrati, magni packaging, solitudo dielectric et materiarum insulationum, praesertim summus temperatus, summus potentiae machinis. Praeter, AlN et GaN bonum scelerisque par et chemicae compatibilitas habent, AlN ut GaN epitaxial subiectae, signanter defectum densitatis in GaN machinis minuere possunt, ad emendam fabricam perficiendam.

In praesens, mundus facultatem augendi habet AlN cum diametro unciarum 2 digitorum, sed adhuc multae difficultates solvendae sunt ad maiorem crystallorum magnitudinem augendam, et uas materia una problematum est.

PVT methodus AlN cristalli incrementi in ambitu caliditatis, gasificationis AlN, gasificationis gas- phase et recrystallisationum actionum in uasculis clausis relative evehitur, sic caliditas resistentia, corrosio resistentia et longi muneris vita magni facti sunt indices materiarum uasculorum. AlN cristallum incrementum.

Nunc in promptu sunt materiae uasculae maxime refractariae metalli W et TaC ceramicae. W uasculas habent brevem uasculum ex lento reactione eorum cum AlN et carbonisation exesa in C fornacibus atmosphaerae. Nunc, reale AlN cristallum incrementum materiarum uasculorum maxime notantur in materiis TaC, quae est compositio binaria cum puncto supremo liquefactio cum praestantissimis proprietatibus physicis et chemicis, sicut punctum altum liquescens (3,880 ℃), altum Vickers duritiem (＞9.4 GPa) et altae elasticitatis modulus; Egregiam habet conductivity scelerisque, conductivitatem electricam, et resistentiam ad corrosionem chemica (tantum resolutum in mixta solutione acidi nitrici et hydrofluorici). Applicatio TaC in uasculo duas formas habet: una est ipsa TaC uascula, altera quasi uasculi graphitei tegumentum.

TaC uas cristallinae puritatis et parvae qualitas detrimentum commoda habet, sed uas difficile est formare et magno pretio. TaC-coactat graphite uasculum, quod faciliorem processui materiae graphitae et ignobilis contaminationis TaC uasculi componit, ab investigatoribus favet et feliciter ad incrementum AlN crystallorum et crystallorum SiC applicata est. Amplius optimizing processum efficiens TaC et qualitatem efficiens emendans, "TaC-Iactaret graphite uasculumPrima electio erit pro AlN cristalli incrementi uasculi, quae magni pretii investigationis est ad minuendum sumptus AlN incrementum crystalli.