Gallium Oxide (Ga2O3)

Gallium oxydatum (Ga2O3)ut "bandgap semiconductorem" ultra-wide materia colligit operam sustentatam. Fasciculus ultra-wide semiconductores sub categoriis "semiconductorum generationis quartae" cadunt, et in comparatione ad semiconductores tertiae-generationis, ut carbidam silicon (SiC) et gallium nitridum (GaN), gallium oxydatum bandgap latitudinem 4.9eV, superans. pilum carbide 3.2eV et gallium nitridum 3.39eV. Latius fasciculus implicat quod electrons acrius ad transitum a cohorte valentia ad cohortem conductionem requirit, gallium oxydatum cum characteribus quasi resistentia altae intentionis, altum tolerantiae temperantiae, magnae potentiae facultatem, et resistentiam radialem.

(I) Generatio quarta, Semiconductor Material

Prima semiconductorum generatio ad elementa refertur sicut Pii (Si) et germanium (Ge). Secunda generatio includit materiam semiconductorem mobilitatem altiorem sicut gallium arsenidum (GaAs) et phosphidem indium (InP). Tertia generatio ambit materiam late bandgap semiconductorem sicut carbidam silicon (SiC) et gallium nitride (GaN). Quarta generatio inducit fasciculos semiconductores ultra-latos materias sicutgallium oxydatum (Ga2O3), adamas (C), aluminium nitridum (AlN), et bandgap semiconductor materiae ultra-angaticae sicut gallium antimonide (GaSb) et antimonide indium (InSb).

Quarta generatio ultra-latae bandgaporum materias applicationes habent imbricatis cum semiconductore tertia-generatione, cum praestanti utilitate in machinis potentiarum. Core provocatio in materias generationis quartae in praeparatione materiali posita est, et haec provocatio superans valorem mercatum significat.

(II) De Proprietatibus Gallii Oxide Materialis

Fasciculus ultra-wide: Stabilis effectus in extrema condicione sicut ultra-humilis et altae temperaturae, radiorum fortis, cum spectris ultraviolaceis respondentibus profundis spectris ultraviolaceis detectoribus applicabiles.

Altus naufragii agri fortitudo, princeps Baliga valor: Repugnantia alta intentione et detrimenta humilis, faciens necessariam ad altas pressuras summus potentiae machinas.

Gallium oxydatum carbide pii provocat;

Virtus bona effectus et humilis damna: Baliga figura meriti pro gallium oxydatum quadruplum est GaN et decies SiC, optimam characterum conductionem exhibens. Damna potentia oxydi galli machinis sunt 1/7th SiC et I/49 machinorum siliconum substructio.

Humilis processus sumptus galli oxydi: Gallium durities inferioris oxydi comparati cum silicone facit processus minus provocans, dum alta duritia SiC ad altiores processus signanter sumptus ducit.

Qualitas cristallus galli oxydi excelsi: Liquid-phase incrementum liquescit in densitate levi dislocationis (<102cm-2) pro gallium oxydatum, cum SiC, methodo gas-phasi utens crevit, inordinationem densitatis circa 105cm-2 habet.

Incrementum oxydi gallii est 100 vicibus SiC: Liquid-phase liquefactum incrementum oxydi gallii consequitur incrementum rate 10-30mm per horae, 2 dierum pro fornace diuturna, cum SiC, methodo gas- phase utens, crevit. incrementum rate 0.1-0.3mm per horae, 7 dierum per fornacem diuturnam.

Minimum productionis lineae sumptus et lagana gallium oxydatum laganum: Gallium laganum laganum productionis lineae similitudinem cum Si, GaN, et lagani SiC lineis efficiunt, unde in conversione minore gratuita sunt et faciliorem industrialem oxydi galli.

Semicorex offert qualitatem 2' 4'Gallium oxydatum (Ga2O3)uncta. Si quid percontationes habes vel etiam singula egent, quaeso ne dubita nobiscum attingere.

Contactus telephonicus # +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com