Differentiae inter crystallis SiC cum diversis aedificiis

Pii carbide (SiC)materia est quae eximiam scelerisque, physicam et chemicam stabilitatem possidet, exhibens proprietates quae superant materias conventionales. Eius scelerisque conductivity mirabilis est 84W/(m·K), quae non solum aere sed etiam ter silicone altior est. Hoc indicat enormem potentiam ad usum in applicationibus scelerisque administratione. Fascia SiC circiter ter siliconis est, eiusque rupturae electrici campi vis est ordo magnitudinis altior quam silicon. Hoc significat quod Sic potest providere altiorem fidem et efficaciam in applicationibus summus intentione. Accedit, SiC adhuc conservare potest bonum conductivity electricae in calidis temperaturis MM°C, quod graphite comparandum est. Hoc facit specimen semiconductoris materiae in ambitus summus temperatus. Corrosio resistentia SiC etiam praestantissima est. Tenuis iacuit SiO2 in sua superficie formatus efficaciter impedit oxidationem ulteriorem, faciens resistens fere omnibus agentibus corrosivis notis in cella temperie. Hanc applicationem in ambitus asperos efficit.

Secundum structuram crystallinam, SiC diversitas in suis plusquam CC diversis formis crystallis relucet, proprium attribuitur variis modis, quibus atomi in suis crystallis dense refertae sunt. Etsi multae formae cristallinae sunt, hae formae cristallinae dure in duo genera dividi possunt: ​​β-SiC cum structura cubica (zinc mixtura structura) et α-SiC cum structura hexagonali (wurtzite structura). Huius structuralis diversitas non solum proprietates physicas et chemicas SiC auget, sed etiam investigatores magis praebet electiones et flexibilitates cum designandi et optimizing materiae semiconductoris SiC fundatae.

Inter plures formas crystallinas SiC, frequentissimas includunt3C-Sic, 4H-SiC, 6H-SiC, and 15R-SiC. Discrimen inter has formas cristallinas maxime in eorum cristallina structura reflectitur. 3C-SiC, quae etiam carbida siliconis cubica nota est, indoles structurae cubicae exhibet et structuram simplicissimam inter SiC. SiC structura hexagonali amplius subdivisa in 2H-SiC, 4H-SiC, 6H-SiC et alia genera secundum diversas dispositiones atomicas. Hae classes reflectunt modos atomorum crystallo refertae, necnon symmetria et multiplicitate cancellorum.

Cohors rima est clavem parametri quae temperatura range et intentionem determinat in quo materiae semiconductoris operari possunt. Inter varias formas cristallinas SiC, 2H-SiC latitudo fasciculorum summam habet 3.33 eV, praestantissimam eius stabilitatem et observantiam sub extrema condicione indicans; 4H-SiC proxime sequitur, cum fascia latitudine 3.26 eV; 6H-SiC fasciam paulo inferiorem habet 3.02 eV, dum 3C-SiC fasciculum infimum 2.39 eV habet, eo latius in inferioribus temperaturis et intentionibus utendum est.

Massa efficax foraminum est elementum magni momenti circa mobilitatem materiae foraminis. Foramen massa efficax 3C-SiC est 1.1m0, quae relative humilis est, significans mobilitatem suam foraminis esse bonam. Foramen massa efficax 4H-SiC est 1.75m0 in plano basis structurae hexagonalis et 0.65m0 cum perpendicularis ad planum basis, differentiam in proprietatibus electricis in diversis ostendens. Foramen massa efficax 6H-SiC simile est cum 4H-SiC, sed paulo inferius altiore, quod ictum in mobilitatem ferebat. Massa efficax electronici variat in latitudine 0.25-0.7m0, secundum speciem cristalli structurae.

Mobilitas tabellarius mensura est quam celeriter electrons et foramina intra materiam moventur. 4H-SiC bene hac de re facit. Foramen eius et mobilitas electronica signanter altiores sunt quam 6H-SiC, quod 4H-SiC meliores effectus in viribus electronicis machinis facit.

Ex prospectu effectionis comprehensivae, quaelibet cristallus forma estSicsingulares habet utilitates. 6H-SiC apta est ad fabricandas machinarum optoelectronicarum ob stabilitatem structuris et proprietates bonas luminescentias.3C-Sicapta est summus frequentiae ac potentiae machinis propter altam saturatam electronici velocitatem. 4H-SiC optima electio facta est ad potentiam electronicarum machinarum propter altam electronicam mobilitatem, obsistentiam et altam venam densitatem. Re vera, 4H-SiC non solum est materia tertiae-generationis semiconductor cum optima operatione, supremo mercaturae gradu et technologia perfectissima, sed etiam praelata materia ad fabricandum vim machinarum semiconductorem in alta pressura, summus temperies, ambitus femper repugnans.