Significatio raris graphitis materiae ad SiC cristallum incrementum

Semicorex's SiC fornax crystalli incrementum component, theraro graphite doliumtria beneficia maiora feret ac efficaciter firmare potest aemulationem domesticamSiC subiecta:

• SiC cristallum incrementum partium sumptus reducere;
• Crassitudinem SiC crystalli auge, et altiore dispendio minuito;
• SiC crystal cedere et corporatum aemulatione augere.

Additis porosis graphite schedae ad SiC crystalli incrementum fornacibus calidis in industria una est. Probatum est inserendo araro graphiteplagulae supra pulveris fontem SiC, bonae massae translationis in cristallum ambitum obtinentur, quae varias quaestiones technicas emendare possunt, quae in fornacibus cristalli incrementi traditionalis existunt.

(a) Fornax cristallina incrementum, (b) Crystal incrementum fornacis cum graphite raris

Source: Dongui University, Corea Meridionalis

Experimenta docuerunt, cum fornacibus cristallina uterentur, SiC subiecta plerumque varias habentpolymorphsut 6H et 15R-SiC;SiC subiectaparatus usura raro graphite-fundatur cristallum incrementum fornacibus tantum habent4H-SiC monocrystal. Praeterea, microtube densitas (MPD) et fovea densitatis (EPD) signanter reducuntur. In MPD ex duabus fornacibus crystallinis aucti sunt 6-7EA/cm2 et 1-2EA/cm2 respective, qui esse possunt.reducuntur ad VI temporibus.

Semicorex etiam novam "unum temporis molem translationis" processum subnixum induxitraro graphite iaculis. Rara graphite est valde bonapurificationem facultatem. Novus processus novo thermaico agro utitur ad primariam massam translationis, quae massam translationis efficientiam meliorem facit ac basically constantem, inde minuens ictum recrystallizationis (vitans secundae massae translationis), efficaciter reducendo periculum microtubularum vel aliorum defectuum crystallorum adiunctorum. Praeter, graphite porosum est etiam unum e nucleis technologiarum ad solvendam quaestionem de crystalli augmento SiC et crassitudine, quia potest aequivalere gas phase componentes, immunitates segregare vestigium, temperamentum localem accommodare, et particulas physicas ut carbonis involutionem minuere. Praemissa vero crystallum adhiberi potest;crassitudine cristallumreduci possunt. auget signanter.

Technical features of *Semicorex porosum graphite:

Porositas attingere potest usque ad 65%;

Pori aequaliter distribuuntur;

Alti praepostere stabilitatem;

Vires altae,  ≤1mm ultra tenue cylindricum attingere possunt.

Semicorex praebet summus qualisraro graphitepartes. Si quid percontationes habes vel etiam singula egent, quaeso ne dubita nobiscum attingere.

Contactus telephonicus # +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com