Modus parandi Sic

Pii carbide (SiC)est substantia inorganicae. Moles naturaliter occurrentesPii carbideperexiguum eft. Rara mineralis est et moissanite vocatur.Pii carbideusus in productione industriae artificiose summatim perstringitur.

Nunc, rationes industriales respective maturae ad conficiendumPii carbide pulverisincludunt haec: (1) Acheson methodus (deminutionis carbothermal traditio methodus): coniunge summus vicus arenae puritatis vel chalcitis tusi cum petroleo coke, graphite vel anthracito minuto pulveris aequabiliter misce et calefacit ut supra 2000°C per caliditatem caliditatem generatam. graphite electrode agere ut summatim α-SiC pulveris; (2) Silicon dioxydum low-temperatus reductionis carbothermalis methodus: Silica subtilis pulveris et carbonis pulveris mixtis, reactionem carbothermalem reactionem exercetur in temperie 1500 ad 1800°C ut β-SiC cum puritate superiori obtineatur. Similis haec ratio est ad Achesonem modum. Discrimen est quod synthesis temperaturae huius methodi inferior est, et inde crystalli structura β-type est, sed reliquae dioxide non unreacted carbo et pii dioxide desiliconizationis et decarburizationis curationem efficacem requirunt; (3) Silicon-carbon methodus directa reactionis: directe agere pulverem metallicum cum carbone carbonis pulveris ad altam puritatem generandi in pulveris 1000-1400°C β-SiC. α-SiC puluis in praesenti materia rudis praecipua pro carbide siliconis ceramico producto, cum β-SiC structura adamantis plerumque adhibenda est ad curandum molendum et poliendum materias.

Sicduas cristallinas formas habet, α et β. Crystallus structura β-SiC est systematis crystalli cubici, cum Si et C respective cancellos cubicae faciei reflectitur; α-SiC plus quam 100 polytypa habet ut 4H, 15R et 6H, inter quas polytypus 6H in applicationibus industrialibus frequentissimum est. Commune unum. Certa est scelerisque stabilitatis relatio inter polytypa SiC. Cum temperatura infra 1600°C est, carbida pii in forma β-SiC existit. Cum temperatura altior 1600°C, β-SiC lente fit in α. — Varia polytypa SiC. 4H-SiC facile est generare circa 2000°C; tum 15R et 6H polytypes excelsas supra 2100°C temperaturas requirunt ad facile generandum; 6H-SiC valde stabilis est etiam si temperatura 2200°C excedit.