Clavis Parametri Siliconis Carbide (SiC) Substrates

Parametri cancellos:Curans cancellos constantes subiectorum compositus quod iacuit epitaxialis crescendi, pendet ad defectus et accentus extenuando.

Sequentia positis:Macroscopic structuraSicconstat ex atomis pii et carbonis in ratione 1:1. Sed variae dispositiones atomicae in variis crystallis structurae consequuntur. Ergo,Sicplura exhibet polytypa, ut3C-SiC, 4H-SiC, 6H-Sicrespondentibus positis sequentiis ut ABC, ABCB, ABCACB, respective.

Mohs duritia:Determinans duritiem subiecti essentialis est prout afficit facilitatem processus et resistentia induendi.

Densitas:Densitas impingit vires mechanicas et proprietates scelerisquedistent.

Scelerisque Expansion Coefficient:Hoc refertur ad ratem in quadistentLongitudo seu volumen augetur respectu primae dimensionum cum temperatura uno gradu Celsius oritur. Compatibilitas expansionis scelerisque coefficientium subiecti et iacuit epitaxialis sub temperatura variationes scelerisque stabilitatem machinae afficit.

Index refractionis:Ad applicationes opticas, index refractivus est modulus criticus in consilio machinarum optoelectronic.

Dielectric Constant:Hoc pertinet ad proprietates capacitivas machinae.

Scelerisque conductivity:Crucial pro summus potentia applicationes et summus temperatus, scelerisque conductivity influit refrigerationem machinae efficientiam.

Band-rima;Cohors-rima significat differentiam industriae inter summam cohortis valentiae et fundum conductionis in materias semiconductoris. Haec differentia industria determinat num electrons possit transire a cohorte ad cohortem conductionem. Lata cohors materias hiatus magis acrius requiret ad transitus electronicos excitandos.

Break-down Field Electrical:Haec maxima intentione est quod materia semiconductoris resistere potest.

Saturatio PERFLUO Velocitas:Agitur de maxima velocitate mediocris quae onerarias onerarias in materia semiconductoris cum campo electrico subiecta est attingere potest. Cum vires campi electrici aliquatenus augentur, tabellarius velocitatem non amplius auget cum adhuc in agro crescit, attingens quod notum est ut velocitas egisse satietatem.**

Semicorex summus qualitas partium praebet pro Substratis SiC. Si quid percontationes habes vel etiam singula egent, quaeso ne dubita nobiscum attingere.