Pii Carbide Wafer Epitaxy Technologiae

Pii Carbidefere methodo PVT utitur, cum temperatura plus quam 2000 graduum, cycli processus longi, et output humilis, sic sumptus carbide substratorum Siliconis est altissimus. Processus epitaxialis Siliconis Carbide fundamentaliter idem est ac Siliconis, excepto consilio temperaturae et instrumenti structurali consilio. Secundum praeparationem machinae, propter materiae particularitatem, processus machinae differt a Silicon in eo quod processus summus temperatus utitur, inter initiationem caliditatem, oxidationem summus temperatus, et processibus furnariis summus temperatus.

Si vis maximize habetPii Carbideipsa, optima solutio est epitaxialem in strato Silicon Carbide uno cristallo subiecto crescere. A Silicon Carbide laganum epitaxiale refert ad laganum Silicon Carbide, in quo unicum vitreum tenue velum (epitaxiale stratum) cum quibusdam requisitis et cristallum idem ac subiectum crevit in substratum Silicon Carbide.

Quattuor societates maiores in foro pro instrumento principali suntPii Carbide materiae epitaxial:

[1]Aixtronin Germania: capacitas productionis relative magna denotata;

[2]LPEin Italia, quod est unum microcomputium cum altissimo incrementi;

[3]TELetNuflarein Iaponia, cuius apparatum valde carus est, deinde duplicem cavitatem, quae effectum aliquem augendi productionem habet. Inter eos, Nuflare est artificium valde distinctum his annis deductum. In summa celeritate gyrari potest, usque ad 1000 revolutiones per minutias, quae valde prodest ad uniformitatem epitaxiae. Eodem tempore, eius directio airflow ab aliis instrumentis diversa est, quae directe deorsum est, ut generationem aliquarum particularum vitare possit et probabilitatem in laganum madentem reducere.

Ex prospectu applicationis terminalis iacuit, materiae Silicon Carbide amplis applicationes habent in summa celeritate plenas blasphemias, electronicas autocinetas, eget dolor photovoltaicas, electromechanicas industriales, centrum datarum, bona alba, electronicas consumpturas, communicationem 5G, proximam. generationis ostentationem et alios agros, et forum potentiale est ingens.

Semicorex praebet summus qualisCVD SiC coating partsad SIC epitaxial incrementum. Si quid percontationes habes vel etiam singula egent, quaeso ne dubita nobiscum attingere.

Contactus telephonicus # +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com