Oxidation Processus

Scaena fundamentalis omnium processuum est processus oxidationis. Processus oxidationis est ponere laganum silicum in atmosphaera oxidantium sicut oxygeni vel aquae vaporum ad curationem caloris calidi (800~1200℃), et reactionem chemica laganum in superficie siliconis lagani ad cinematographicum cinematographicum formandum. (SiO2 velum).

SiO2 cinematographicis cinematographicis semiconductoris processibus late adhibetur propter suam altitudinem duritiem, altum punctum liquescens, bonum chemicae stabilitatis, bonae velitationis, parvae expansionis coëfficientis scelerisque, et processum facundiae.

Munus oxydi pii;

1. Fabrica tutelae et solitudo, passio- cies superficies. SiO2 notas habet duritiei et densitatis bonae, quae laganum silicum a scalpendo et damno in processu fabricando tueri potest.

2. Portus oxydi dielectrici. SiO2 altam vim dielectricam et resistivity altam, bonam stabilitatem habet, et ut materia dielectrica structurae oxydi MOS technicae portae adhiberi potest.

3. Doping obice. SiO2 adhiberi potest ut larva obice iacuit in diffusione, inditur inditur, et processibus engraving.

4. Codex oxydi strati. Reducere accentus inter nitridem silicon et silicon.

5. Iniectio quiddam iacuit. Ion reducere implantationem damni et effectus vertentes.

6. Interlayer dielectric. Usus est pro velit inter stratis metallica conductiva (generata per modum CVD)

Classification et principium oxidationis scelerisque;

Secundum gas quod in oxidatione reactionis adhibetur, scelerisque oxidatio dividi potest in oxidationem aridam et oxidationem humidam.

Oxidatio sicca oxygenii: Si+O2-->SiO2

Oxidationis oxygenii infectum: Si+ H2O + O2-->SiO2 + H2

Oxidationis vaporum aquae ( oxygeni infectum): Si + H2O -->SiO2 + H2

Arida oxidatio solum puro oxygenii utitur (O2), ergo incrementum cinematographicum lentum est. Maxime usus est membranas tenues formare et oxydas cum bene conductivis formare potest. Infectum oxidationis utitur utroque oxygenio (O2) et valde solutum vaporum aquae (H2O). Ideo cinematographicum oxydatum celeriter crescit et cinematographicum crassiorem efficit. Autem, cum siccis oxidationibus, densitas iacuit oxidationis ex humido oxidationis formata est humilis. Fere, eodem temperie ac tempore, velum oxydatum umidum oxidationis consecutum est circiter 5 ad 10 tempora, crassius quam oxydatum cinematographicum siccum oxidationis obtinet.