Home > News > Company News

The Study on Reaction-Sintered SiC Ceramics and Their Properties

2024-09-24

Cur Silicon Carbide Maximus?


Carbide Silicon (SiC) compositum est a vinculis covalentibus inter silicones et carbones atomos, notum ob eximiam eius debilitatem resistentiae, resistentiae thermae, resistentiae corrosionis, et conductivitatis scelerisque altae. In aerospace, mechanicis, fabricandis, petrochemicis, metallis excoquendis, et electronicis industria, praesertim ad induendas resistentias partes, ac summus temperaturas structurarum partium faciendas usus est.Reactionem-sinered pii carbide ceramicssunt inter primos ceramicos structurales ad productionem industrialem consequendam. Traditionalreactionem-sintered Pii carbide ceramicsfiunt ex pulvere carbide pii et parva quantitate carbonis pulveris per infiltrationi silicon-calidi-temperati reactionem sintering, quae longa tempora sinteringia, temperaturae altae, energiae altae et magnas impensas requirit. Cum crescente applicatione technologiae technologiae technologiae reactionis inperditae, methodi traditionales satis sunt ad occursum postulatio industrialis pro complexu informibus.Pii carbide ceramics.


Quae sunt recentes progressus inReactio-Sintered Pii Carbide?


Recentes progressiones ad summum densitatis, altae fortitudinis inflexionis efficiendum effecitPii carbide ceramicsutens nano amplitudo pulveris carbidi siliconis, signanter emendans proprietates mechanicas materiales. Nihilominus, princeps sumptus carbidi Pii nano-amplentis pulveris, qui supra decem milia dollariorum per ton pretiosum est, magnam scalam applicationis impedit. In hoc opere, carbones lignorum creberrime usi sumus sicut carbonis principium et carbidi micron-simi- tudo universitatis, usus lapsus technologiae ad praeparandum.reactionem-sintered Pii carbide tellusviridia corpora. Hic accessus necessitatem tollit pulveris carbidi pii praecellens, et gratuita productione minuit, et fabricationem magnarum, multiplicium rarum-septatum, praebet comparationem ad melius perficiendum et applicandum.reactionem-sintered Pii carbide ceramics.


Quaenam Materies Rudis?


Materies rudis in experimento includendi:


Carbida Pii cum mediana magnitudine (d50) ex 3.6 μm et puritate (w(SiC)) ≥ 98%


Carbon niger cum particula mediana magnitudine (d50) 0.5 µm ac puritate (w©) ≥ 99%


Graphite cum mediana particula (d50) inter 10 μm et puritatem (w©) ≥ 99%


Dissidentes: Polyvinylpyrrolidone (PVP) K30 (K valorem 27-33) et K90 (K valorem 88-96)


Aqua reducere: Polycarboxylate CE-64


Dimitte agente: AO


Deionized aqua



Quomodo Experimentum Conducted?


Experimentum gestum est hoc modo;





Miscens materias rudis secundum Tabulam 1 utens electrico turpis per 4 horas ad obtinendam slurriam uniformiter mixtam.


Viscositatem scelestam custodiens ≤ 1000 mPa·s, slurriae mixtae in formas gypsi paratas ad lapsus mittendas effusa est, licet per gypsum formas 2—3 minutas dehydrare per corpora viridia formare.


Corpora viridia in frigido loco posita sunt per 48 horas, deinde a formulis remota, et in vacuo clibano ad 80°C 4-6 horas siccata siccata.


Degumming corporum viridium fiebat in fornace obvoluto 800°C pro 2 horis ad obtinendas formas.


Praeformationes in mixto pulvere carbonis nigri, pii pulveris, et nitridi boron in massae ratione 1,100: 2000 immerguntur, et in fornace 1720°C sinterae per 2 horas ut ceramicos carbidi pii subtiliter pulverizati sunt. .



What Methods were used for Performance Testing?


Euismod probatio inclusa:


Viscositatem slurry metiens variis mixtis temporibus (1-5 horis) utens viscometro gyratorius ad locus temperatus.


Volumen densitatis prestationum mensurans vexillum nationale sequens GB/T 25995-2010.


Deflexio roboris exemplorum sinteredorum in 1720°C secundum GB/T 6569-2006 mensurae, cum dimensionibus samples 3 mm × 4 mm × 36 mm, spatium 30 mm, celeritatem onerantium 0,5 mm·min^-1 .


Pascha compositionem et microstructuram exemplarium sinteredarum resolvendo in 1720°C utendo XRD et SEM.



Quomodo miscens tempus afficit Slurry Viscositatem, Preform Volubilis Densitas, et Apparens Porositas?






Figurae 1 et 2 relationem inter mixtionem temporis et slurriam viscositatem exempli causa 2# ostendunt, ac relationem inter mixtionem temporis ac volumen densitatem ac raritatem apparentem praebent.


Figura 1 indicat miscere tempus augere, viscositas decrescere, minimum 721 mPa·s attingere ad 4 horas et tunc stabilit.


Figura 2 demonstrat specimen 2# maximam voluminis densitatem 1.47 g·cm^-3 maximam habere et minimam poros 32.4% apparentis. Viscositas inferior melius dissipatio consequitur, ducens ad crepitum magis aequabile et meliusPii carbide tellusperficiendi. Tempus satis mixtionis ducit ad inaequalem mixtionem carbidi Pii minuti pulveris, dum nimia mixtio temporis plus aquae evaporat, systema destabiliens. Optima miscendi tempus ad conficiendum ceramicos carbide pii pulpatum plene confectum est 4 horae.





Mensa 2 recenset viscositatem slurriam, densitatem voluminis formare, et porositatem exempli 2# apparentibus, cum additamento graphite et sample 6# sine graphite addita. Additio graphite viscositas slurry minuit, densitatem voluminis praeformat, et extenuat apparentem porositatem ob effectus graphitei lubricandi, unde melius dissipatur et augetur densitas plenae pulveris pulveris.Pii carbide ceramics. Sine graphite, slurry viscositatem altiorem, dispersionem tenuiorem, stabilitatemque, graphite addito necessariam facit.





Figura 3 exhibet volumen densitatis preformationis et raritatem apparentium exemplorum cum contentis diversis carbonis nigri. Sample 2# summam voluminis densitatem 1.47 g·cm^-3 habet et infimae raritatis 32.4% apparentis. Sed rarior porositas Pii infiltration impedit.





Figura 4 ostendit spectra XRD speciminis 2# praebere et signari exempla anno 1720°C. Praeformationes graphite et β-SiC continent, dum exemplaria sinterae continent Si, β-SiC, α-SiC, indicando nonnulla β-SiC in α-SiC in calores altas transformata. Specimina sintered etiam augeri Si ostendunt et diminui C contenti ob infiltrationem pii caliditatis, ubi Si cum C reagit ad formandum SiC, poros implens.





Figura 5 ostendit fracturam morphologiam diversi exempli prestare. Imagines denique pii carbide, graphite, et pori ostendunt. Exemplaria 1#, 4#, et 5# maiora habent augmenta lanugini et poros inaequales distributos ob inaequalem mixtionem, inde in densitatem depressam et porositatem altam. Sample 2# cum 5.94% (w) carbonis nigrum meliorem microstructuram ostendit.





Figura 6 morphologiam specimen fracturae ostendit 2# postquam ad 1720°C sintering, particulas carbidas piiculas cum minimis porositatibus arcte et uniformiter distributas ostendens. Incrementum particularum carbidi Pii ex effectibus summus temperatus est. Particulae SiC noviter formatae minores etiam videntur inter particulas sceleti originalis SiC a reactione sintering, cum aliquas residuas Si replens poros originalis, accentus retrahendo coactionem reducendo, sed potentia afficiens summus temperaturae effectus, ob punctum suum humile liquescens. Productum sintered densitatem voluminis 3,02 g·cm^-3 et vim flexionis 580 MPa habet, supra bis vires ordinariae.reactionem-sintered Pii carbide.



conclusiones


Optima miscendi tempus ad slurriam conficiendam usus est pulvisculi plene subtiliterPii carbide ceramicsis IV horas. Addens graphite slurriam viscositatem minuit, densitatem voluminis praeformat, auget raritatem apparentem, decrescit apparentem poros, auget densitatem plenae pulveris pulveris.Pii carbide ceramics.


Optimal carbonis nigrae contentum ad conficiendum ceramicos carbidi pii cinerem plene confectum est 5.94% (w).


Particulae carbidae pii sinteretae arcte et uniformiter cum minimali porositate distributae sunt, ostendentes incrementum inclinationis. Densitas producti sintered 3.02 g·cm^-3, et vis flexionis 580 MPa est, signanter augens vim mechanicam et densitatem glebae plene tenuissimae.Pii carbide ceramics.**






Nos ad Semicorex urna inSiC Ceramicset aliae Materiae Ceramicae in fabricandis semiconductoribus adhibitae, si quas quaesitiones habes vel singulas requiras, quaeso ne dubita nobiscum attingere.





Contactus telephonicus: +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com



X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept