- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Industria News
Provocationes Ionis Implantation Technology in Sic et GaN Power Devices
Lata bandgap (WBG) semiconductores ut Silicon Carbide (SiC) et Gallium Nitride (GaN) censentur magis magisque munus in potentia electronica cogitationibus agere. Plures commoda praebent supra Silicon traditum (Si) machinis, incluso efficientiam superiorem, densitatem potentiae, et frequentiam mutand......
Lege plus
Variis applicationibus vicus in semiconductor vestibulum
Primo aspectu, vicus materialis vitreo simillimus spectat, sed id quod speciale est, vitrum ordinarium ex multis componentibus componitur (ut vicus arena, borax, acidum boricum, barite, carbonas barium, calcis, feldspar, nitri cinis. , etc.), dum vicus tantum SiO2 continet, eiusque microstructura si......
Lege plus
Intellectus Universa Semiconductor Fabrica Fabricatio Processus
Fabricatio machinae semiconductoris quattuor genera processuum principaliter comprehendit; (1) Photolithographia (2) Doping Techniques (3) Film Depositio (4) Etching Techniques Artes specificae in quibus implicatae sunt photolithographiae, implantationis ion, processus scelerisque celeris (RTP......
Lege plus
