Sic Processus Tubuli

Processus semicorex SiC fistulae sunt principales componentium structurarum in oxidatione, diffusione, RTA/RTP in processu vestibulum semiconductoris. Fere est magna diametri tubus quasi spatium reactoris fornacis, omnes processus chemici intus fient. Itaque vires, resistentia inpulsa scelerisque utraque puncta valde producti sunt.

Processus fistulae Sic fiunt persintered Silicon Carbide, potest esse SiSiC, SSiC, vel RSiC, et CVD SiC in superficie vestiri, quae ultra puritatem altam iacuit formans. Contaminationem per particulas, cineres, etc. impedire potest. Et materia valde resistentia inpulsa scelerisque habet, sic processus fistulae SiC in resistentia caliditas stabilis manere potest, et immunditias ne praecipitet in altum temperaturae et sic ambitum polluat.

Processus hic SiC fistulae ad usum atmosphaerae cum gas (oxygen) reactivo (oxygeni), gas (nitrogen), clypeo chloridi (nitrogenii), et minimas quantitates hydrogenii gasi (nitrogenis), et minimas quantitates chloridis hydrogenii praestantes adhibet, et resistentiam chemicam, scelerisque stabilitatem, et puritatem materialem 1250°C praestantem praebet. Processus Semicorex SiC Tubuli iungunt statum-of-artem 3D fabricandi fabricandi cum vapore chemica depositionis (CVD) efficiens ut praestantiorem observantiam et vitae spatium sub altissimis conditionibus scelerisque et chemicis praebeat.

Processus Semicorex SiC Tubes producuntur per 3D processus figurae integratae potius quam torcular conventionale tubum formatum vel collectum. Haec processus fabricandi permittit continuam et constantem structuram ceramicam nullis articulis et locis infirmis, creando altiorem gradum complexionis et fidelitatis dimensivae, quae levare potest accentus concentrationes dum vires mechanicas auget. Praeterea, monolithic structura sigillum strictum naturale praebet, contagione et lacus in processibus calidis minuendo.

TheSiccorporis est materia immunditia ultra-low (< 300 ppm), praestantem puritatem materialem ac stabilitatem atmosphaerarum reciproci praebens. Praeterea tubus CVD iacuit carbide pii (< 5 ppm) obductis ad resistentiam corrosionis et ad tutelam superficiei meliorem.

Semicorex praebet servicium nativus, possumus secundum delineatas clientium producere, ad requisita specificationum postulationem occurrere. Itaque semicorex SiC processus fistulae alternatim aptae esse possunt non solum fornacibus horizontalibus, sed etiam fornacibus verticalibus.