SICOI Wafer

CONIUNCTI SUMUSlaganumest compositum semiconductor materiale cum trium iacuit structura quae singulari modo utens fit.

Fundum tabulatum structurae SICOI lagani substratum est pii, quae certa subsidia mechanica praebet ut stabilitatem structuram lagani SICOI curet. Optima conductivity scelerisque reducit ictum caloris cumulus in faciendo machinas semiconductores, ut eas diu normaliter operarentur etiam ad altam potentiam. Praeterea substratum silicon compatitur cum instrumento et machinis adhibitis in fabricandis semiconductoribus nunc. Hoc feliciter confectionem et complexionem demittit dum accelerans productum R&D et massam productionis.

Sita inter substratum siliconem et stratum fabricae SiC, iacuit oxydatum insulating medium iacuit laganum SICOI. Vias currentes inter strata superiorum et inferiorum segregans, iacuit oxydatum insulating periculum brevium circuitionum efficaciter demittit et stabilem electricum artificiorum semiconductoris observantiam praestat. Ob proprietatem eius humilem effusio, signanter reducere potest dispersionem opticam et signa transmissionis efficientiae semiconductoris machinis optica emendare.

Silicon Carbide iacuit fabrica principale stratum functionis SICOI lagani fundamentalis est. Essentiale est ad summum faciendum electronicum, photonicum, et quantum functiones ob eximiam eius roboris mechanicam obtinendam, altam refractivam index, humilis optical iacturam ac scelerisque conductivity insigniter.

applicationes ad uncta sicoi;

1.Pro fabricando fabrica optica nonlinea sicut pectinem frequentiam opticam.

2.Pro fabricandis photonicis integris eu.

3.For vestibulum modulator electro-opticus

4.Pro viribus fabricandis machinas electronicas adhibendas, ut virgas et RF machinas potentia.

5.Nam vestibulum MEMS sensorem sicut accelerometer et gyroscopus.