> Products > Pii Carbide Coated > MOCVD Susceptor > Silicon Carbide Coating Graphite Susceptor pro MOCVD

Products

New Products

Silicon Carbide Coating Graphite Susceptor pro MOCVD

Semicorex creditus est elit et opifex carbidi pii graphite susceptoris tunicati pro MOCVD. Productum nostrum specialiter destinatum est ad necessitates industriae semiconductoris in crescendo strato epitaxiali in spuma lagana. Productum in MOCVD bracteae centri adhibetur, cum consilio calces vel anulus informatus. Calorem ac corrosionem habet resistentiam, quae in extremis ambitibus usui aptam facit.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Nostri pii carbide efficiens graphiteum susceptorem pro MOCVD plures notas clavis habet quae eminere e certamine possunt. In omni superficie coatingit, decorticationem evitans et resistentiam oxidationis summus habet, stabilitatem usque ad altas temperaturas usque ad 1600°C firmans. Productum cum summa puritate fit per CVD depositionem vaporum chemicorum sub condiciones chlorinationis summus temperatus. Superficiem densam cum particulis subtilibus habet, eamque valde repugnant corrosioni ex acido, alcali, sale, et reagentia organica.
Pii carbide nostri graphite susceptoris efficiens pro MOCVD destinatur ad optimam laminae gasi fluens exemplar consequendum, aequabilitatem profile scelestae procurans. Quaelibet contagione vel immunditia diffusionem impedit, qualitatis epitaxialis incrementum praebet super laganum spumam.

Parametri Siliconis Carbide Coating Graphite Susceptor pro MOCVD

Specificationes principales de CVD-SIC Coating .
Sic-CVD Properties
Crystal Structure	FCC β phase
Densitas	g/cm	3.21
duritia	Vickers duritia	2500
Frumenti Size	μm	2~10
Puritas chemica	%	99.99995
Calor Capacity	J kg-1 K-1	640
Sublimatio Temperature	℃	2700
Fortitudo Felix	MPa (RT 4-punctum)	415
Modulus	Gpa (4pt bend, 1300℃)	430
Scelerisque Expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Scelerisque conductivity	(W/mK)	300

Features of Silicon Carbide Coating Graphite Susceptor pro MOCVD

- Vitare DECORTICATIO et curare coating in omnibus superficies
Temperatus oxidationis resistentiae: Stabilis temperaturis calidis usque ad 1600°C
Alta puritas: facta per CVD depositionem vaporis chemici sub condiciones chlorinationis caliditas.
Corrosio resistentia: durities alta, superficies densa et particulae minutissimae.
Corrosio resistentia: acidum, alcali, sal et reagentia organica.
- Consequi optimum laminae gas fluxus exemplaris
- Guarantee aequitate profile scelerisque
- Ne quis contaminationem vel immunditiam diffusionis