TaC Coated Wafer Susceptor

Semicorex TaC Coated Wafer Susceptor est pars crucialis adhibita in Depositione Vapore-organico chemico (MOCVD) fornacibus semiconductoris epitaxialis (epi) processus. Hoc speciale circum susceptorem e materia graphite alta quali- tate conficitur et singulare Tantalum Carbide lineamenta (TaC) efficiens.

Primum propositum TaC coating est augere TaC Coated Wafer Susceptor perficiendi et durabilitas in exigendis conditionibus processuum fabricationis semiconductoris. Tantalum Carbide notum est propter eximiam duritiem, alte liquefactionem, et resistentiam induendi et corrosionem. Hae proprietates TaC Coated Wafer Susceptor optimam electionem faciunt pro graphite susceptore tuendi subiecta chemicis profectae et physicae passiones quae intra fornacem MOCVD occurrunt.

TaC Coated Wafer Susceptor munus vitale agit in incremento materiae semiconductoris epitaxial, quo facilius depositio membranarum tenuium in lagana deponatur. Facultas eius altas temperaturas et duras chemicae ambitus sustinendi cruciatus est ad assequendum certa et certa semiconductor fabrica fabricandi.

Susceptor Wafer TaC Coated, cum nucleo suo graphito et Tantalum Carbide coatingit, constantem et uniformem calorem efficit distributionem, ad reproducibilitatem et qualitatem stratorum semiconductorum in processu MOCVD crevit conferens. Haec coniunctio materialis provecta reddit certam ac durabilem solutionem pro semiconductore fabricando, congruentibus exigentiis productionis machinae electronic modernae occurrens.