GaN-on-SiC Epitaxial Wafers Portitorem

Semicorex princeps est sine possessore opificem Siliconis Carbide Graphite Coated, Subsecutio Machinata Graphite High Purity focusing in Graphite Silicon Carbide Coated, Silicon Carbide Ceramico, MOCVP areae semiconductoris fabricandi. Noster GaN-on-SiC laganus Epitaxial Waferus bonum pretium commodum habet et multos mercatus Europae et Americanos operit. Expectamus ad longum tempus socium in Sinis fieri.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Semicorex SiC Coating of GaN-on-SiC lagana Epitaxial lagana densa est, obsistens carbidi pii (SiC) coating. Princeps corrosionis et caloris resistentiae proprietates necnon conductivity scelerisque praestantes habet. SiC in bracteis bracteis applicamus super graphite utendo depositioni vaporum chemicorum (CVD) processu.
Nostrum GaN-on-SiC laganum Epitaxiale laganum destinatur ad optimam laminae gasi fluens exemplar consequendum, aequabilitatem profile scelestae procurans. Hoc iuvat ne quis contagione vel immunditiae diffusionem praestet, ut incrementum epitaxialis summus qualitas super spumam laganum.
Contactus nos hodie ut plura discamus de nostris GaN-on-SiC Wafers Carrier Epitaxial.

Parametri GaN-on-SiC Epitaxial Wafers Portitorem

Specificationes principales de CVD-SIC Coating .
Sic-CVD Properties
Crystal Structure	FCC phase
Densitas	g/cm	3.21
duritia	Vickers duritia	2500
Frumenti Size	m	2~10
Puritas chemica	%	99.99995
Calor Capacitas	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimatio Temperature	℃	2700
Fortitudo Felix	MPa (RT 4-punctum)	415
Youngâ s Modulus	Gpa (4pt bend, 1300â)	430
Scelerisque Expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Scelerisque conductivity	(W/mK)	300

Features of Gan-on-SiC Epitaxial Wafers Portitorem

- Vitare DECORTICATIO et curare coating in omnibus superficies
Temperatus oxidationis resistentiae: Stabilis temperaturis calidis usque ad 1600°C
Alta puritas: facta per CVD depositionem vaporis chemici sub condiciones chlorinationis caliditas.
Corrosio resistentia: durities alta, superficies densa et particulae minutissimae.
Corrosio resistentia: acidum, alcali, sal et reagentia organica.
- Consequi optimum laminae gas fluxus exemplaris
- Guarantee aequitate profile scelerisque
- Ne quis contagione vel immunditiae diffusionis