SiC Epi-Wafer Susceptor

Semicorex est magna fabrica et elit Siliconis Carbide Coated Graphite Susceptor in Sinis. Intendunt in industrias semiconductores sicut strata carbida pii et epitaxy semiconductor. Noster SiC Epi-Wafer Susceptor bonum pretium commodum habet et multa mercatus Europae et Americanae operit. Expectamus ad longum tempus socium decet.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Semicorex suppeditat SiC Epi-Wafer Susceptor ab MOCVD obductis ad lagana sustinendis. Eorum summus puritas carbide Pii (SiC) graphite elaborata constructionem praebet superiori caloris resistentiam, etiam thermarum uniformitas ad crassitudinem et resistentiam epi- strati consistentis, et resistentiam chemicam durabilem. Finis SiC crystallis efficiens praebet superficiem mundam, levem, criticam ad tractandum cum lagana pristina contactum susceptorem multis punctis per totam regionem suam.
Noster SiC Epi-Wafer Susceptor destinatur ad optimam laminae gasi fluens exemplar consequendam, aequabilitatem profile scelerisque procurans. Hoc iuvat ne quis contagione vel immunditiae diffusionem praestet, ut incrementum epitaxialis summus qualitas super spumam laganum.
Contactus nos hodie ut plura de nostro SiC Epi-Wafer Susceptore discamus.

Parametri SiC Epi-Wafer Susceptor

Specificationes principales de CVD-SIC Coating .
Sic-CVD Properties
Crystal Structure	FCC β phase
Densitas	g/cm	3.21
duritia	Vickers duritia	2500
Frumenti Size	μm	2~10
Puritas chemica	%	99.99995
Calor Capacity	J kg-1 K-1	640
Sublimatio Temperature	℃	2700
Fortitudo Felix	MPa (RT 4-punctum)	415
Modulus	Gpa (4pt bend, 1300℃)	430
Scelerisque Expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Scelerisque conductivity	(W/mK)	300

Features of Sic Epi-Wafer Susceptor

Princeps munditiae SiC graphite linivit
Superior calor resistentia & scelerisque uniformitatem
SiC crystal obductis ad superficiem levem
Princeps firmitatem contra chemica purgatio
Materia designata est ut rimas et delaminationes non fiant.