Quid est Low Temperature Plasma Etching?

Plasma quartus status materiae est et in utraque applicatione industriae et in phaenomenis naturalibus magnum munus gerit. Verbi gratia, plasma inest fulmine et abundanter generatur in superficie solis, ubi nucleus temperatus stupendam attingit 13,500°C. Haec summus temperatura plasma pluribus processibus productionis industrialibus non convenit.

E contra, humilis-temperatus plasma plasma artificiose formatum plasmatis quae industria utitur, quam calor, ad motus chemicos accelerandos accelerat. Temperatura eius typice ab cella temperie ad plures centum gradus Celsius percurrit, eamque ad varias applicationes maxime efficax facit.

Ad Plasma Artificialis Generare:

1. Pressura in camera reducere: incipe utendo sentinam vacuum pressura in cavum deprimere. Adeptionem humilis pressio essentialis est ad plasma stabiliendum et ionizationem gasi expediendam.

2. Processum introducere Gas: Inject processum specificum gasorum in cavitatis. Hi vapores principalem fontem particularum in plasmate habent.

3. Plasma excita: Potestatem applicare ad ionizandum gas, efficaciter plasma formando.

4. Deactivate Plasma et Restitue Pressura atmosphaerica: Cum motus desiderati sunt perfecti, plasma averte et cubiculum ad pressionem atmosphaericum redde.

Applications de Plasma in Semiconductoris in Vestibulum:

Plasma humilis temperatura necessaria est in fabricandis semiconductoribus, functionibus criticis inserviens in arida etching, vaporum corporis depositione (PVD), vaporum chemicorum depositionis (CVD), strato atomico depositionis (ALD), implantationis, ashing, et detectionis termino. Eius mobilitas et efficacia fundamentale instrumentum in industria faciunt.

Semicorex offersqualis est summus solutiones plasma etching. Si quid percontationes habes vel etiam singula egent, quaeso ne dubita nobiscum attingere.

Contactus telephonicus # +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com