Luxatio in crystallis Sic

Substratum SiC defectus microscopicos habere potest, ut Threading Screw Dislocation (TSD), Dislocation Edge (TED), Base Plane Luxatio (BPD), et alii. Hi defectus causantur ex deviationibus in ordine atomorum in gradu atomico.

Crystalla typice crescunt eo modo patentia ad axem c-axum vel ad parvum angulum cum eo, quod significat c-planum etiam notum esse planum basis. Duo genera luxationis in crystallo sunt. Cum linea dislocationis perpendicularis ad basin planum est, crystallum hereditat dislocationes ex semine crystalli in crystallum epitaxialem excrescens. Dislocationes hae notae sunt dislocationes penetrabiles et in crepidines dislocationes (TED) et cochleae liquatae dislocationes (TSD) in orientatione vectoris Bernoulli ad lineam dislocationis collocari possunt. Luxationes, ubi tum lineae dislocationes et vectores Bronsted in plano basi sunt, bases planae dislocationes vocantur (BPD). Crystalla siC possunt habere dislocationes compositae, quae sunt complexiones motuum praedictorum.

1. TED&TSD

Utraeque dislocationes stamineae (TSDs) et limbi dislocationes stamineae currunt per axem incrementum [0001] cum diversis vectoribus burgenses <0001> et 1/3<11-20>, respective.

Ambae TSDs et TEDs a subiecto ad laganum superficiem extendere possunt et parvas foveas sicut superficies producere. De more, densitas TEDs est circiter 8,000-10,000 1/cm2, quae fere 10 temporibus TSDs est.

In processu incrementi SiC epitaxialis, TSD a subiecto ad epitaxialem stratum extensum TSD extendit, ut in alios defectus in plano substrato transformet et per axem incrementum propagetur.

Ostensum est in incremento SiC epitaxiali, TSD in vitia iacuit positis (SF) vel carrotae defectus in plano substrati, dum TED in strato epitaxiali ex BPD ab incremento epitaxiali hereditario substrati transformari ostenditur.

2. BPD

Dislocationes plani basales (BPDs), quae in plano crystallorum SiC sita sunt, habent burgenses vectorem 1/3 <11-20>.

Raro BPDs in superficie laganae SiC apparent. Hae densitati 1500 1/cm2 in subiecto intenta solent, densitas autem in strato epitaxiali tantum circiter 10 1/cm2.

Intelligitur densitatem BPDs decrescere cum crassitudine subiecti SiC crescentis. Cum examinantur usura photoluminescens (PL), BPDs lineamenta lineamenta monstrant. In processu augmenti epitaxialis SiC, extensum BPD transformari potest in SF vel TED.

Ex superioribus patet defectus inesse laganum SiC subiectum. Hae defectus hereditari possunt in tenui membranarum incremento epitaxiali, quae perniciem in fabrica SiC causare potest. Hoc potest ducere ad detrimentum commoditatum Sicarum sicut campus altus naufragii, altae vicissim intentionis, et humilis lacus current. Praeterea, hoc simpliciter productum minuere potest et ingentia impedimenta in industrializationis SiC ob reductam fidem ponere.