De defectibus in crystallis SiC - Micropipe

Substratum SiC defectus microscopicos habere potest, ut Threading Screw Dislocation (TSD), Dislocation Edge (TED), Base Plane Luxatio (BPD), et alii. Hi defectus causantur ex deviationibus in ordine atomorum in gradu atomico. Crystalla SiC etiam dislocationes macroscopicas habere possunt, sicut inclusiones Si vel C, micropipes, evacuationes hexagonales, polymorphos, etc. Haec dislocationes sunt typice magnae magnitudine.

Una e maioribus quaestionibus in fabricandis SiC machinis est microstructuras tres dimensivas quae "micropipes" vel "pinholes" vocantur, quae proprie sunt 30-40um et 0.1-5um in magnitudine respective. Hae micropipe densitatem 10-10³/cm habent et penetrare possunt stratum epitaxialem, inde in defectibus machinalis occisoris. Eae principaliter causantur dislocationes spiro glomerationis et considerantur principale impedimentum in evolutione machinarum Sicarum.

Microtubulae defectus in subiecto oriuntur aliorum defectuum in strato epitaxiali in processu incrementi formati, sicut evacuationes, inclusiones variarum polymorphorum, geminorum, etc. Ergo potissima res est in processu incrementi materiae subiectae. nam alta intentione et sublimitas potentiae SiC machinis est formationem microtubuli defectuum in mole crystallorum SiC formationem reducere ac ne in tabulatum epitaxialem ingredi prohibeat.

Micropipe sicut puteulae considerari potest et condiciones optimizing processus "in foveis implere" ad densitatem micropiporum reducere possumus. Aliquot studia in litteris et notitia experimentali ostenderunt evaporationem epitaxy, CVD incrementum, epitaxia liquida-phasma in micropipis implere posse et formationem micropipis et luxationes minuere.

Semicorex arte MOCVD utitur ad efficiendas SiC coatingas quae densitatem micropipam efficaciter minuunt, inde in productorum qualitatum summa. Si quid percontationes habes vel etiam singula egent, quaeso ne dubita nobiscum attingere.

Contactus telephonicus # +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com