Cum global acceptatio vehiculorum electricorum paulatim augetur, Silicon Carbide (SiC) nova incrementa in proximo decennio occurret. Praevidetur fabricatores virtutis semiconductores et operatores in industria autocineti acrius in constructione huius sectoris catenae valoris participent.
Lege plusSilicon carbide (SiC) magni ponderis munus agit in electronicis potentiae fabricandis et in machinis frequentia summus ob egregias electricas et thermas proprietates. Qualitas et doping gradus crystallorum SiC directe afficiunt ad fabricam perficiendam, tam accurata moderatio dopingis una est e tech......
Lege plusIn processu crescendi SiC et AlN singulae crystallis per modum transportandi vaporum physicorum (PVT), componentes ut uasculum, semen cristallum possessor et anulus ductor munus vitale exercent. In processu praeparationis SiC, semen crystallum in regione temperatura relative humili sita est, dum mat......
Lege plusSiC materia subiecta est nucleum Chiporum SiC. Productio processus subiecta est: adepta SIC crystallum per singula crystalli incrementa; deinde pa- SiC substrata requirit teres, rotunditas, secans, stridor (tenens); politio mechanica, chemica mechanica expolitio; et purgatio, probatio, processus etc
Lege plus