- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
News
Epitaxial Strati: Fundatio Provectus Semiconductor Fabrica
In industria semiconductoris, stratis epitaxialis munus cruciale agunt formando membranas tenues singulas crystallinas super laganum subiectum, collective notum lagana epitaxialis. Praesertim carbidi pii (SiC) epitaxiales stratis substratis conductivis SiC effectis lagana epitaxialia homogenea SiC f......
Lege plus
Rara Graphite pro Sic Crystal Denuo
In statu, plerique SiC fabricatores substrati fabricant novum uasculum thermarum campi processus designandi cum graphitis graphitis raris: ponentes altam puritatem SiC particulam rudis materiae inter murum graphite rotundum et graphite cylindricum rari, dum totum uasculum altius auget ac diametrum a......
Lege plus
Munus crucial of Epitaxial Stratorum in semiconductoris machinae
Incrementum epitaxiale refertur ad processum crescendi in strato monocrystallino monocrystallino subiecto crescendi. Communiter, incrementum epitaxiale involvit culturam strati cristallini in uno-crystal subiecto, cum increvit iacuit communicans eandem orientationem crystallographicam sicut substrat......
Lege plus
Plasma Processus in CVD Operations
Depositio Vaporis chemica (CVD) ad technologiam processum refertur, ubi multiplex reactatio gaseosa in variis pressionibus partialibus chemicam reactionem sub certis conditionibus temperaturae et pressionis subeunt. Substantia inde solida in superficie materiae substratae deponit, inde cinematograph......
Lege plus
