- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
News
De defectibus in crystallis SiC - Micropipe
Substratum SiC defectus microscopicos habere potest, ut Threading Screw Dislocation (TSD), Dislocation Edge (TED), Base Plane Luxatio (BPD), et alii. Hi defectus causantur ex deviationibus in ordine atomorum in gradu atomico. Crystalla SiC etiam dislocationes macroscopicas habere possunt, sicut incl......
Lege plus
TaC Coating
Secundum investigationes eventus, TaC efficiens potest agere tutelam et iacum solitudo ad vitam componentem graphitam extendendam, caliditatem radialem uniformitatem emendare, stoichiometriam sublimationem conservare, immunditiam migrationis supprimere et consummationem energiae minuere. Ultimo a gr......
Lege plus
Quid est processus CVD in semiconductore?
Depositio vaporum chemicus CVD refert introductionem duarum vel plurium materiarum crudarum gaseorum in cubiculum reactionem sub condiciones vacui et caliditatis caliditatis, ubi materiae gaseae rudis inter se agunt ad novam materiam formandam, quae in superficie lagana deposita est.
Lege plus
Photovoltaic Industry Development Overview
Per 2027, calculus photovoltaicus solaris (PV) calculus assequetur sicut capacitas maxima mundi inaugurata. Facultas cumulativa inaugurata solaris PV triplis fere in nostra praenuntiatione, a gigawatts fere 1,500 per hoc tempus crescens, et gasi naturali a 2026 et carbone 2027 superabit.
Lege plus
