> News

News

Infineon retegit primum 300mm potentia GaN Wafer

Nuper Infineon Technologies prosperum progressionem primi 300mm potentiarum mundi Gallium Nitride (GaN) laganum technologiam nuntiavit.

Lege plus

Monocrystallina Vestibulum Silicon

Tres primariae methodi in fabricandis siliconis monocrystallini adhibitae sunt methodus Czochralski (CZ), methodus Kyropoulos et methodus Float Zonae (FZ).

Lege plus

Oxidation in Semiconductor Processing

Processus oxidationis munus criticum exercent in impediendo tales difficultates creando stratum tutelarium super laganum, notum iacum oxydatum, quod obice inter varias oeconomiae partes agit.

Lege plus

Analysing Applications et Progressiones Prospectus Ceramicorum SiC in Semiconductoris et Sectors Photovoltaici

Silicon carbide (SiC), ut materia ceramica summus terminus, optimas proprietates habet ut resistentia summus temperatus, resistentia corrosio, resistentia induere, robur mechanicum temperatus, et resistentia oxidatio. Hae proprietates valde promittunt applicationes in campis summus technicis sicut s......

Lege plus

Cur Elige Pressureless Sintering pro Sic Ceramic Praeparatio?

Synthesis ultra altam temperiem et difficultatem assequendi densam sinteringum ceramicorum SiC suam evolutionem limitaverunt. Processus sintering pendet pro ceramicis SiC.

Lege plus

Quid est Silicon Nitride?

Silicon nitridum (Si3N4) materia praecipua est in progressu structurarum ceramicorum summus temperaturae provectae.

Lege plus

<...3 4 5 6 7...30 >