- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
News
Introductio ad tres rationes oxidationis processuum
Processus oxidationis refertur ad processum praebendi oxidantes (qualis oxygenii, vaporum aquae) et energiae unctae onsilicon scelerisque, causando reactionem chemica inter siliconem et oxidantes ut cinematographicum cinematographicum praebendum.
Lege plus
Quid laganum compages technologiae?
Vinculum laganum est vitalis technicae artis in vestibulum semiconductoris. Modis physicis vel chemicis utitur ad copulandum duas laganas lenis et mundas simul ad functiones specificas obtinendas vel in processu fabricando semiconductore adiuvando. Technologia est promovere progressionem technol......
Lege plus
Quid est recrystallized pii carbide ceramic？
Carbida pii recrystallata est summus effectus ceramicus formatus, coniungendo particulas SiC per mechanismum evaporationis-condensationis ad formandum corpus solidum-phasim sintered validum. Praecipuum eius notabile est quod nulla subsidia sintering adiciuntur, et productum finale carbide pii paene ......
Lege plus
Quid sunt in annulos etching
In chip fabricandi, photolithographiae et engraving sunt duo gradus arcte inter se coniuncti. Photolithographia praecedit etching, ubi exemplar laganum in usu photoresist ambitus augetur. Etching ergo cinematographica cinematographica a photoresist non obtecta removet, translationem exemplaris a per......
Lege plus
Quid est plasma dicing?
Wafer dicing ultimus gradus est in processu vestibulum semiconductore, lagana Pii separans in singula astulas (etiam dicta perit). Plasma alearum processu sicco et ingrectione utitur ad notificandum materiam in aleis plateis per plasma fluorinum ad effectum separationis consequendum. Cum promotione ......
Lege plus
