- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
News
Investigationis Progressus TaC artibus in Carbon-Substructio Materies superficierum
Materiae carbonis fundatae ut fibrae graphitae, carbonii, et carbonis/carbonae (C/C) compositae notae sunt propter altam vim specificam, altam modulum specificam et optimas possessiones thermas, easque aptas ad applicationes altae temperaturae amplis. . Hae materiae late adhibentur in aerospace, mac......
Lege plus
What Applications of Gallium Nitride (GaN) Substrate?
Gallium Nitride (GaN) magna materia est in technologia semiconductor, ob eximias electronicas et opticas proprietates nota. GaN, ut semiconductor late-bandgap, industriam bandgap circiter 3.4 eV habet, faciens id specimen pro summus potentiae et applicationum frequentiae summus.
Lege plus
Recensio IX Sintering Techniques Silicon Carbide Ceramics
Silicon carbide (SiC), structurae ceramicae prominente, ob eximias eius proprietates clarus est, inclusis summus temperatura fortitudo, durities, modulus elasticus, resistentia, conductivity scelerisque et resistentia corrosio. Haec attributa aptam faciunt amplis applicationibus, a traditis industri......
Lege plus
Technical challenges in Silicon Carbide Crystal Denuo Furnaces
Pii carbide (SiC) cristallum incrementum fornacibus sunt angularis lapidis lagani SiC productio. Dum similitudines communicantes cum fornacibus crystallinis traditis incrementum, SiC fornacibus singulares provocationes obveniunt ob condiciones materiales extremae incrementi et multiplices machinae d......
Lege plus
Purificationis Technologiae Graphitae in SiC semiconductor
Graphite vitalis est in productione Pii Carbide (SiC) semiconductores, propter eximias possessiones scelerisque et electricas notas. Hoc specimen facit SiC summus potentiae, summus temperatus, ac frequens applicationes summus. In SiC fabricando semiconductore, graphite communiter ponitur pro uasculi......
Lege plus
