RTP sic coating laminis

Semicoreex RTP sic coating lamines sunt praecisione, machinator components disposito specifically ad laganum firmamentum in celeri scelerisque processus (RTP) applications. Haec RTPSic coatingPlates offerre optimal statera scelerisque stabilitatem, eget resistentia, et mechanica vires, faciens ea specimen ad exposcens environments of modern semiconductor vestibulum.

Nostra RTPSic coatingPlates ensure optimum scelerisque uniformitatem et minimal contaminationem periculo. Et sic superficiem providet eximia resistentia ad altum temperaturis-usque ad MCCC ° C et infestantibus aeris atmosphaerae, inter oxygeni, nitrogen, et hydrogenii, dives ambitus communiter usus per anni, oxidatio, et diffusa usi in annalibus, oxidatio, et diffusa usus.

Ion implantatio replaces scelerisque diffusionem propter eius inhaerens imperium super doping. Tamen, Ion implantatio requirit a calefacit operationem operationem dicuntur annealing ad removendum cancellos damnum per ion implantationem. Traditionally, annexa fit in tubo reactor. Licet annealing potest removere cancellos dampnum, quod etiam facit doping atomos ad propagationem in medio laganum, quod est undesirable. Hoc problema promptus populus ad studium utrum sint alia industria fontes quod potest consequi idem annealing effectus sine causa dopants diffundere. Hoc investigationis ducitur ad development of celeri scelerisque processus (RTP).

RTP processus fundatur in principle scelerisque radialis. Et laganum in RTPSic coatingPlates automatice positus in reactionem thalamum cum spira et exitus. Intra, in calefactio fonte est supra et infra laganum, causando laganum calefieri cursim. Sources calor includit graphite calentium, microwaves, Plasma et Tungsten IODUM lampades. Tungsten IODIE LODEUM LAMPES maxime communia. Thermal radiation est copulata in laganum superficiem et ad processum temperatus de DCCC ℃ ~ ML ℃ ad rate of L ℃ ~ C ℃ per secundus. In traditional reactor accipit aliquot minuta ad idem temperatus. Similiter refrigerandum fieri potest in materia secundorum. Nam radiative calefactio, in mole de laganum non calefacit usque ad brevi calefactio tempore. Nam annealing processuum ad Ion implantationem, hoc modo quod cancellos damnum reparavit dum implantatum atomorum in loco.

RTP technology est naturalis choice pro incrementum tenuis cadmiae stratis in Mos portas. Flecte ad minorem et minor lagoenae dimensiones habet exitus in tenuior et tenuior laminis addidit ad laganum. Maxime significant reductionem in crassitudine in portam cadmiae iacuit. Provectus cogitationes eget porta crassitudines 10A range. Tales tenues cadmiae stratis aliquando difficile ad control in conventional reactors ex opus ad celeri oxygeni copia et exhaurit. Et celeri compugitur et refrigerationem de RPT Systems potest providere requiritur imperium. RTP systems pro oxidatio et vocavit celeri scelerisque oxidatio (RTO) systems. Sunt simillima ad annealing systems, nisi quod oxygeni adhibetur pro inerti Gas.