SiC-Coated ICP Component

Semicorex's SiC-Coated ICP Component specialiter designatur ad laganum summus temperatura processus tractandi sicut epitaxia et MOCVD. Cum cristallo SiC subtiliter efficiens, portatores nostri resistentiam superiori caloris praebent, etiam scelerisque uniformitatem, et resistentiam chemicam durabilem.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Semicorex's SiC-Coated ICP Component est summa electio lagani tractandi processuum qui summus temperatus et chemicus resistentia requirunt. Nostri tabellarii etiam profiles scelerisque, laminae gasi exemplaria fluentia praebent, ac ne contagione vel immunditiae diffusionem ob crystallum splendidum nostro SiC. Cum cristallo SiC subtiliter efficiens, portatores nostri resistentiam superiori caloris praebent, etiam scelerisque uniformitatem, et resistentiam chemicam durabilem.
Apud Semicorex nos intendunt ut summus qualitas, sumptus efficens productis emptoribus nostris praebeatur. Our SiC-Coated ICP Component commodum pretium habet et multis mercatibus Europaeis et Americanis exportatur. Contendunt nos ut particeps tua sit longi temporis, tradens qualitatem constantem productorum et servitiorum eximiorum emptorum.
Contactus nos hodie ut plura de nostro SiC-Coated ICP Component discamus.

Parametri SiC Coated ICP Component

Specificationes principales de CVD-SIC Coating .
Sic-CVD Properties
Crystal Structure	FCC β phase
Density	g/cm	3.21
duritia	Vickers duritia	2500
Frumenti Size	μm	2~10
Puritas chemica	%	99.99995
Calor Capacity	J kg-1 K-1	640
Sublimatio Temperature	℃	2700
Fortitudo Felix	MPa (RT 4-punctum)	415
Modulus	Gpa (4pt bend, 1300℃)	430
Scelerisque Expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Scelerisque conductivity	(W/mK)	300