Home > Products > Ceramic > Pii Carbide (SiC)

Sinae Pii Carbide (SiC) Manufacturers, Suppliers, Factory

Pii carbide ceramica (SiC) est materia ceramica provecta continens silicon et carbonem. Grana carbidae Pii sileringe simul conjuncta possunt ad ceramicos durissimos formare. Semicorex suppeditat more ceramicorum carbide Pii ut exigis.

Applications

Cum ceramicis carbide pii, proprietates materiales constantes manent usque ad temperaturas supra 1,400°C. Princeps modulus Young > 400 GPa praestantem firmitatem dimensionalem praestat.



Applicatio typica ad componentes carbidi Pii ad technologiam dynamicam signationem technologiam utens frictioni gestus et sigillorum mechanicorum, exempli gratia in soleatus et systemata abigere.

● Axem Sleeve   →

● Bushing   →    

● Sigillum Mechanicum   →



Cum proprietatibus provectis, ceramici siliconis carbida sunt etiam specimen usui in industria semiconductoris.

● Wafer Carrier   →  

● cymba lagana   →  


Azymum →
Semicorex Wafer cymba facta est ex ceramico carbide pii sintereta, quae bonam repugnantiam habet ad corrosionem et repugnantiam optimam in caliditatibus et inpulsa scelerisque. Ceramici provectus optimum scelerisque resistentiam et plasma durabilitatem liberant dum particulas mitigantes et contaminantes pro lagano portantium capacitatis summus.


Reactionem sintered pii carbide

Comparata cum aliis processibus sintering, magnitudo mutationis reactionis sintering in processu densificatione parva est, et producta cum dimensionibus definitis produci possunt. Autem, praesentiam magnam quantitatem SiC in corpore sintered caliditatem observantiam reactionis ceramicae SiC sintred deteriorem facit.

Pii carbide pressum sintered

Pii carbide pressa sintered (SSiC) lux peculiaris est et simul dura summus effectus ceramicus. SSIc altum robur insignitur, quae etiam in extremis temperaturis fere constans manet.

Pii recrystal carbide

Pii carbide (RSiC) recrystallatae sunt materiae generationis alterae permixtione carbidi crassae pulveris et summae puritatis pii carbidi et activi pii carbidi minuti pulveris, et post grouting, vacuum sintering ad 2450 ° C ad recrystallize.


View as  
 
SiC Sigillum Ring

SiC Sigillum Ring

Semicorex princeps qualitas SiC sigillum anulum cum servitio nativus praebet. Semicorex committitur ad comparandas qualitates in pretiis competitive, exspectamus ut diuturnum tempus particeps tua fiat in Sinis.

Lege plusMitte Inquisitionem
Mechanica Sigillum Ringonis

Mechanica Sigillum Ringonis

Semicorex summus qualitas Mechanica Sigilli Ringi servitii nativus providebit. Semicorex committitur ad comparandas qualitates in pretiis competitive, exspectamus ut diuturnum tempus particeps tua fiat in Sinis.

Lege plusMitte Inquisitionem
Sigillum Ring

Sigillum Ring

Semicorex praebet summus qualitas Ringonis Sigilli cum servitio nativus. Semicorex committitur ad comparandas res qualitates in pretia competitive, expectamus ut diuturnum tempus particeps tua fiat in Sinis.

Lege plusMitte Inquisitionem
SiC Coated Graphite Lid Cover

SiC Coated Graphite Lid Cover

Recludam epitomen perficiendi et diuturnitatem in instrumento instrumenti semiconductoris cum nostro incisione SiC Coated Graphite Lid Cover. Haec pars discus informatus variis applicationibus semiconductoris perite destinatur, offerens singularem compositionem graphitis et Silicon Carbide (SiC) efficiens ut ad functionem et efficientiam augendam. Semicorex committitur ad comparandas qualitates in pretiis competitive, exspectamus ut diuturnum tempus particeps tua fiat in Sinis.

Lege plusMitte Inquisitionem
Pii Carbide Wafer Molendins Rota

Pii Carbide Wafer Molendins Rota

Experientia summa praecisionis in superficie semiconductoris lagani expolitio nostra cum ore inciso Silicon Carbide Wafer Grinding Rota. Hoc component discus informatum, ad apparatum semiconductorem adamussim designatum, signa stridoris superficiei reducit, optimos proventus praestat pro lagana semiconductoris. Semicorex committitur ad comparandas qualitates in pretiis competitive, exspectamus ut diuturnum tempus particeps tua fiat in Sinis.

Lege plusMitte Inquisitionem
SiC Wafer Stridere Orbis

SiC Wafer Stridere Orbis

Reserare singularem praecisionem in superficie semiconductoris lagani confectam cum statu nostro ab arte SiC Wafer Molendiendi Disk. Haec essentialis pars adamussim designata est in usu in instrumento semiconductoris, specie ficti ad optimos proventus consequendos in applicationibus laganum stridorem. Semicorex committitur ad comparandas qualitates in pretiis competitive, exspectamus ut diuturnum tempus particeps tua fiat in Sinis.

Lege plusMitte Inquisitionem
Semicorex multos annos Pii Carbide (SiC) producens est et unus e Pii Carbide (SiC) fabricatoribus et supplementis professionalis in Sinis est. Postquam emisti fructus nostros provectiores et durabiles, quae sarcinam molem suppeditant, magnam quantitatem in vivis partus praestamus. Ut enim ad minim veniam, has been provided customers with customized service. Clientes nostris contenti sunt productis et praestantibus servitiis. Sincere nos expectamus ad diuturnum negotium socium fidelem decet! Grata res emendas ex officina nostra.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept