SiC laganum Molendum Plate

SiC laganum argentumpars semiconductoris lagani superficiei crucialis est processus. Siliconis carbidi micro-pulveris definitam formulam levans, et ora inpressa sintering processum, SiC laganum stridor latum efficientem stridorem et praecisionem super superficiebus lagani conficiendis tradit, fundamentaliter firmitatem servans ac cede semiconductoris sequentium rationum fabricandorum.

laganum superficies definita et efficiente ut nucleum suum munus finiens, SiC laganum stridor laganum firmum et moderatum attritum cum superficie laganum consequitur. Composita cum strido vel expolitione fluidorum certarum proportionum, synergistice laborat ut varios defectus superficiei ex processibus praemissis causatos eliminare, ut detractiones, microcracks et ora lappas. Etiam consequi potest micron-gradus subtilis dominii super laganum crassitudinem et totam crassitiem variandi (TTV), eo quod summus qualitas lagani subiecta sit cum optimae superficiei qualitate et parametri dimensionis stabilis pro subsequentibus processibus clavium in chip fabricandis sicut photolithographiae et ion implantationis.

Praecipua observantia;

1.Extrema duritia.

2. Alta vis flexurale et modulus elasticus.

3.Superior ampliatio scelerisque coefficientis.

4.Outstanding scelerisque conductivity.

5.Superb resistentia chemicae corrosio.

Semicorex summus finis nativus officia praebet clientibus nostris pretiosos. Usus CNC machinis centra provecta, Semicorex adamussim et praecise processuum materiae carbidi siliconis ad creandum laminam laganum SiC molentem cum specificis dimensionibus formatis. Ut serviant clientibus cum productorum qualitatem, Semicorex SiC laganum laganum stridor inspectiones strictas qualitates subire debet ut accurationem dimensionalem, vires, duritiem et alias probationes perficiendi antequam officinas relinquat.