> Products > Pii Carbide Coated > Barrel Susceptor > Ferocactus Structure semiconductor epitaxial Reactor

Products

New Products

Ferocactus Structure semiconductor epitaxial Reactor

Semicorex Barrel structura semiconductoris epitaxialis Reactoris cum suis extraordinariis scelerisque conductivitatibus et caloribus distributione proprietatum perfecta est electio ad usum in processibus LPE et aliis applicationibus semiconductoris fabricandis. Summum eius puritatem SiC coating praesidium praebet superiorem in ambitibus summus temperatus et mordax.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Semicorex Barrel structura semiconductoris Epitaxialis Reactor est eligendum pro graphite susceptore applicationes summus faciendas quae requirunt eximiam calorem et corrosionem resistentiae. Suam puritatem SiC coating and superior density and the thermal conductivity provide superior protection and heat distribution proprieties, assequens certa et constanti effectu in rebus etiam gravissimis ambitibus.

Nostrum Barrel structura pro semiconductore Epitaxiali Reactor destinatur ad optimam laminae gasi fluens exemplar consequendum, aequabilitatem profile scelestae procurans. Hoc iuvat ne quis contagione vel immunditiae diffusionem praestet, ut incrementum epitaxialis summus qualitas super spumam laganum.

Contactus nos hodie ut plura discamus de nostro Barrel Structure pro Reactore Epitaxiali Semiconductoris.

Parameters of Barrel Structure for semiconductor epitaxial Reactor

Specificationes principales de CVD-SIC Coating .
Sic-CVD Properties
Crystal Structure	FCC β phase
Densitas	g/cm	3.21
duritia	Vickers duritia	2500
Frumenti Size	μm	2~10
Puritas chemica	%	99.99995
Calor Capacity	J kg-1 K-1	640
Sublimatio Temperature	℃	2700
Fortitudo Felix	MPa (RT 4-punctum)	415
Modulus	Gpa (4pt bend, 1300℃)	430
Scelerisque Expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Scelerisque conductivity	(W/mK)	300

Features of Ferocactus Structurae Semiconductoris Epitaxialis Reactor

- Tum graphite substrato et carbidi pii strato densitatem bonam habent et bonam munus tutelae in cultura caliditatis ac mordax operandi ambitibus ludere possunt.

- Silicon carbide obductis susceptoribus adhibitis pro incremento crystalli unius habet praealtissimae superficiei planiciem.

- Reducere differentiam in expansione scelerisque coëfficientis inter graphite substrato et carbide pii strato, efficaciter meliores compages vires ne crepuit et delaminatio.

- Tam graphite substratum et carbide pii stratum altum scelerisque conductivity habent, et caloris excellentia proprietates distributio.

- Maximum punctum liquescens, caliditas oxidationis resistentia, corrosio resistentia.