> Products > Pii Carbide Coated > Barrel Susceptor > Barrel Susceptor for Liquid Phase Epitaxy

Products

New Products

Barrel Susceptor for Liquid Phase Epitaxy

Si susceptor graphite indigetis qui fideliter et constanter praestare potest in ambitibus vel maxime flagitantibus summus temperatus et corrosivus, Semicorex Barrel Susceptor pro Liquid Phase Epitaxy perfectus est electio. Pii carbida membrana efficiens optimam scelerisque conductivity et caloris distributionem praebet, ob eximiam observantiam in applicationibus semiconductoris fabricandis.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Semicorex Barrel Susceptor pro Liquid Phase Epitaxy eligibile est ad applicationes semiconductores fabricandas quae altum calorem et corrosionem resistentiae requirunt. Suam puritatem SiC coating et eximiae scelerisque conductivity praebere tutelam superiorum et calorum distributio proprietatum, certas et constantes effectus in ambitus etiam gravissimos praestans.

Nostrum Barrel Susceptor pro Liquid Phase Epitaxy destinatur ad optimam laminae gasi fluens exemplar consequendum, aequabilitatem de profile scelerisque procurando. Hoc iuvat ne quis contagione vel immunditiae diffusionem praestet, ut incrementum epitaxialis summus qualitas super spumam laganum.

Contactus nos hodie ut plura discamus de nostro Barrel Susceptore pro Liquid Phase Epitaxy.

Parameters of Barrel Susceptor Liquid Phase Epitaxy

Specificationes principales de CVD-SIC Coating .
Sic-CVD Properties
Crystal Structure	FCC β phase
Density	g/cm	3.21
duritia	Vickers duritia	2500
Frumenti Size	μm	2~10
Puritas chemica	%	99.99995
Calor Capacity	J kg-1 K-1	640
Sublimatio Temperature	℃	2700
Fortitudo Felix	MPa (RT 4-punctum)	415
Modulus	Gpa (4pt bend, 1300℃)	430
Scelerisque Expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Scelerisque conductivity	(W/mK)	300

Features of Ferocactus Susceptor Liquid Phase Epitaxy

- Tum graphite substrato et carbidi pii strato densitatem bonam habent et bonam munus tutelae in cultura caliditatis ac mordax operandi ambitibus ludere possunt.

- Silicon carbide obductis susceptoribus adhibitis pro incremento crystalli unius habet praealtissimae superficiei planiciem.

- Reducere differentiam in expansione scelerisque coëfficientis inter graphite substrato et carbide pii strato, efficaciter meliores compages vires ne crepuit et delaminatio.

- Tam graphite substratum et carbide pii stratum altum scelerisque conductivity habent, et caloris excellentia proprietates distributio.

- Maximum punctum liquescens, caliditas oxidationis resistentia, corrosio resistentia.