- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
News
Silicon Carbide Devices Power Introductio ad Silicon
Silicon carbide (SiC) machinae potentiae sunt machinae semiconductores factae ex materia carbida pii, maxime adhibita in frequentia, summus temperatura, summus intentione et potentia applicationes electronicae altae. Cum siliconis traditum (Si)-substructio machinae potentiae, carbidi pii machinae la......
Lege plus
Siliconis Carbide et Applications Siliconis Carbide Coatings Brevis Historia
Historia carbidi pii (SiC) ad 1891 redit, cum Edward Goodrich Acheson accidens eam reperit dum adamantes artificiales synthesare conatur. Acheson mixturam argillae (aluminosilicatae) et puluerem coci (carboni) in fornace electrica calefacta est. Pro adamantibus expectatis, clarum viride crystallum c......
Lege plus
Difficultates in Gann praeparatio
Cum tertia-generatio materiae semiconductoris, Gallium Nitride saepe cum Carbide Silicon comparatur. Gallium Nitride adhuc excellentiam suam cum magna bandgap, alta intentione naufragii, conductivity alta thermarum demonstrat, alta velocitate electronico saturato egisse, et resistentia radiorum fort......
Lege plus
Introductio ad Semiconductores tertia-generationis: GaN et technologiae epitaxiales cognatae
GaN materias eminentiam consecutas sequentes Praemium Nobelianum MMXIV in Physicis pro LEDs caeruleis. Initio oculi publici intrantes per applicationes ad electronicas consumendi celeriter incurrentes, potentia amplificantium GaN fundatae et RF machinas etiam quiete emerserunt ut criticas partes in ......
Lege plus
Substratum vs. Epitaxy: Key Roles in Vestibulum Semiconductor
In regnis technologiarum semiconductorium et microelectronicarum, notiones subiectae et epitaxy momenti significant. Partes criticas ludunt in processu semiconductoris fabricando. Articulus hic in differentias inter subiecta semiconductores et epitaxiam tradet, earum definitiones, functiones, struct......
Lege plus
