- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
News
GaN and Sic: Coexistence or Substitution?
Impulsu altioris potentiae densitatis et efficientiae factus est primarius innovationis agitator per multiplices industrias, inclusa centra data, energia renovabilis, electronica consumendi, vehicula electrica, technologiae autonomae incessus. In the realm of bandgap wide (WBG) material, Gallium Nit......
Lege plus
Quid est ager scelerisque?
In campo unius cristalli incrementi, temperatura distributio in fornace crystalli incrementum agit munus criticum. Haec distributio temperatus, vulgo campus scelerisque dictus, factor vitalis est, qui qualitatem et qualitates crystalli crevit. Agro scelerisque in duo genera generari potest: static e......
Lege plus
Isostatic Graphite Productio Technology
Isostatic technologia premens est processus criticus in fabricandis graphitis isostaticis, maxime determinans effectum producti finalis. Quales tales, comprehensivae investigationes et optimae productionis graphite isostaticae manent essentialia puncta in industria.
Lege plus
Investigationis Progressus TaC artibus in Carbon-Substructio Materies superficierum
Materiae carbonis fundatae ut fibrae graphitae, carbonii, et carbonis/carbonae (C/C) compositae notae sunt propter altam vim specificam, altam modulum specificam et optimas possessiones thermas, easque aptas ad applicationes altae temperaturae amplis. . Hae materiae late adhibentur in aerospace, mac......
Lege plus
What Applications of Gallium Nitride (GaN) Substrate?
Gallium Nitride (GaN) magna materia est in technologia semiconductor, ob eximias electronicas et opticas proprietates nota. GaN, ut semiconductor late-bandgap, industriam bandgap circiter 3.4 eV habet, faciens id specimen pro summus potentiae et applicationum frequentiae summus.
Lege plus
