- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
News
Introducendis core technicae artis graphite naviculae
Graphita cymba, in fronte technologicae innovationis in sua industria stat, congruum elaborandi progressiones ad augendae perfectionis, puritatis, et vitae spatium destinavit. Infra in medium technologias inserimus quae excellentiam navim graphite definiunt;
Lege plus
Rara Graphite pro High Quality SiC Crystal Incrementum PVT Methodo
Silicon Carbide (SiC) quasi materia praecipua in agro technologiae semiconductoris emersit, eximiis proprietatibus, quae eam valde optabilem reddunt pro variis applicationibus electronicis et optoelectronic. Productio GENERALIS SiC una crystallis pendet pro accessu facultatum machinis ut potentiae e......
Lege plus
III modi graphite corona
Quatuor principales modi fingendi pro fingendi graphite sunt: extrusio, trochilus, corona vibratoria et corona isostatica. Plurimae materiae communis carbonis/graphitae in foro ex extrusione et corona calida (frigida vel calida) finguntur, et corona isostatic methodus est cum prima corona perficie......
Lege plus
Quid est graphita isostatica?
Proprietas graphita est graphita cum fractione massae carbonis maior quam 99,99%, etiam "tria graphita alta" (virtus alta, densitas alta, summa puritas). Indolem altum robur, alta densitas, alta puritas, alta stabilitas chemicae, alta scelerisque ac electricae conductivity, caliditas resistentia, ra......
Lege plus
Introducendo Physica Vapor Transport (PVT)
Propriae notae SiC singulares cristallinas incrementum suum difficilius determinant. Ob absentiam Si:C=1:1 liquida periodus in pressuris atmosphaericis, maturior incrementi processui, quem amet industriae semiconductoris adoptat, adhiberi non potest ut methodus rectae evellendi methodum crescendi ma......
Lege plus
Dimissus 850V Princeps Power GaN HEMT Epitaxial Products
Mense Novembri 2023, Semicorex 850V GaN-on-Si producta epitaxialia pro alta intentione, summus current HEMT potentiarum applicationum fabrica. Aliis subiectis comparati pro viribus HMET machinis, GaN-on-Si maiorem laganum magnitudines et applicationes magis variatas dat, et etiam cito introduci pote......
Lege plus
