Gallium Nitride (GaN) magna materia est in technologia semiconductor, ob eximias electronicas et opticas proprietates nota. GaN, ut semiconductor late-bandgap, industriam bandgap circiter 3.4 eV habet, faciens id specimen pro summus potentiae et applicationum frequentiae summus.
Lege plusSilicon carbide (SiC), structurae ceramicae prominente, ob eximias eius proprietates clarus est, inclusis summus temperatura fortitudo, durities, modulus elasticus, resistentia, conductivity scelerisque et resistentia corrosio. Haec attributa aptam faciunt amplis applicationibus, a traditis industri......
Lege plusPii carbide (SiC) cristallum incrementum fornacibus sunt angularis lapidis lagani SiC productio. Dum similitudines communicantes cum fornacibus crystallinis traditis incrementum, SiC fornacibus singulares provocationes obveniunt ob condiciones materiales extremae incrementi et multiplices machinae d......
Lege plusGraphite vitalis est in productione Pii Carbide (SiC) semiconductores, propter eximias possessiones scelerisque et electricas notas. Hoc specimen facit SiC summus potentiae, summus temperatus, ac frequens applicationes summus. In SiC fabricando semiconductore, graphite communiter ponitur pro uasculi......
Lege plusVicus castitatis summus proprietatibus physicis et chemicis insignibus gaudet. Crystalli eius inhaerens structura, figura, et cancelli variationes peculiaribus notis conferunt ut resistentia summus temperatus, resistentia corrosio, resistentia abrasionis, coëfficientia expansio minor scelerisque, al......
Lege plus