- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
News
Methodi AlN Crystal Incrementum
AlN, ut materia semiconductor tertia-generatio, non solum est magna caerulea lux et ultraviolacea levis materia, sed etiam magna sarcina, dielectrica solitudo et insulation materia electronic machinarum et circuitibus integratis, praesertim apta ad altas temperaturas et altas machinas. . Praeter, Al......
Lege plus
TaC Coating Crucible pro AlN Crystal Denuo
Tertia generatio materiae semiconductoris AlN pertinet ad bandgap directae semiconductoris, eius vero 6.2 eV, magna conductivity, resistivity, naufragii campi virium, necnon stabilitatis chemicae et scelestae optimae, non solum magna est lux caerulea, materia ultraviolacea. , vel electronic cogitati......
Lege plus
Tantalum carbide coatings in semiconductor industriae
Progressio altae potentiae caeruleae et UV LEDs creationem plenam-coloris LED TV ostentat, necnon album DUCTUS autocinetum et domesticum accendens. Hae LEDs in Gallium Nitride fundantur, quae lagana substrata deposita sub CVD SiC graphite susceptore MOCVD processu adhibito sustinetur.
Lege plus
