- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
News
Silicon Epitaxial Strati and Substrates in Semiconductor Vestibulum
In modernis electronicis, optoelectronics, microelectronicis, et campis technologicis informationibus, semiconductoribus subiectae et technologiae epitaxiales necessariae sunt. Firmum fundamentum praebent ad summus perficientur fabricandas, summus certarum machinarum semiconductorium. Cum technologi......
Lege plus
Doping Imperium in Sublimatione SiC Augmentum
Silicon carbide (SiC) magni ponderis munus agit in electronicis potentiae fabricandis et in machinis frequentia summus ob egregias electricas et thermas proprietates. Qualitas et doping gradus crystallorum SiC directe afficiunt ad fabricam perficiendam, tam accurata moderatio dopingis una est e tech......
Lege plus
Applications TaC Coated Graphite Components
In processu crescendi SiC et AlN singulae crystallis per modum transportandi vaporum physicorum (PVT), componentes ut uasculum, semen cristallum possessor et anulus ductor munus vitale exercent. In processu praeparationis SiC, semen crystallum in regione temperatura relative humili sita est, dum mat......
Lege plus
