News

TSMC: 2nm processus periculum iudicii productio proximo anno

In suis nuper dimissi annui nuntii, TSMC Praeses Deyin Liu et CEO Chieh-Jia Wei progressum ad 2nm processum relatum patefecit.

Application missiones pro Epitaxial Stratis

Scimus porro epitaxiales stratas super quibusdam lagani substratis fabricandis fabricandis opus esse, de more ductus leves emissiones machinas, quae requirunt stratis epitaxialibus GaAs super substratis pii; SiC epitaxiales stratae supra substratae conductivorum SiC substratae sunt ad fabricandas ma......

Discussis CVD fornacem

Sina manebat maximum instrumentum semiconductor mercatus

Venditio totius semiconductoris instrumenti fabricationis auctus 5 centesimis ab $ 102,6 miliardis 2021 ad omne tempus recordum $ 107,6 miliardis anno praeterito, SEMI, industria consociationis electronicarum electronicarum designandi et fabricandi copiam catenam repraesentans.

Processus CVD pro epitaxy laganum SiC

Processus CVD pro epitaxia laganum SiC involvit depositionem pellicularum SiC super a SiC subiectam utens reactionem gas-phasi. Gas praecursoris SiC, methyltrichlorosilane typice (MTS) et ethylene (C2H4), introducuntur in cameram reactionem ubi subiecta SiC calefacta est ad caliditatem caliditatem (......

Iaponia nuper restricta exportatio 23 specierum semiconductoris instrumenti fabricandi

Iaponia nuper restricta exportatio 23 specierum instrumenti semiconductoris fabricandi. Nuntiatio circulos per industriam misit, sicut motus expectatur notabilem ictum in vinculis habere pro semiconductore fabricando.