- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Company News
Quae sunt provocationes productionis carbidi Pii substratae?
Carbide Pii (SiC) materia est quae energiam vinculi altam possidet, similibus aliis materiis duris sicut nitri adamas et boron cubicum. Nihilominus, princeps vinculum energiae SiC difficilem crystallize directe in ingotis per methodos liquefactionis traditionalis reddit. Ergo processus crystallis cr......
Lege plus
Quid est Silicon Carbide (SiC)?
Materia semiconductor in tres generationes secundum temporis seriem dividi potest. Prima generatio germanium, pii et aliorum monomateriarum communium, quae proprie mutationibus convenient, in circuitibus integralibus plerumque adhibentur. Secunda generatio gallii arsenidis, indium phosphidis et alio......
Lege plus
Incommoda et Incommoda Gallium Nitride (GaN) Applications
Cum mundus novas occasiones in semiconductoribus quaerit, gallium nitrida pergit exstare ut candidatus potentialis futurae potestatis et RF applicationes. Sed ad omnia beneficia quae offert, adhuc maior provocatio vergit; nulla P-type (P-type) producta. Cur GaN dijudicatur ut altera materia major se......
Lege plus
Gallium Oxide (Ga2O3)
Gallium oxydatum (Ga2O3) ut fasciculum semiconductoris ultra-latum "manum" sustentatum attentum colligit. Fasciculus ultra-wide semiconductores sub categoriis "semiconductorum generationis quartae" cadunt, et in comparatione ad semiconductores tertiae-generationis, ut carbidam silicon (SiC) et galli......
Lege plus
Quid est graphitising
Graphitising est processus carbonum non graphiticorum transformandi in carbones graphiticos cum graphite tria dimensiva regularis ordinatis structurae per curationem caloris calidi calidi, plenam usum resistentiae electricae caloris ad calefaciendum materiam carbonis ad 2300~3000 , et carbonem trans......
Lege plus
