- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Company News
Rara Graphite pro Sic Crystal Denuo
In statu, plerique SiC fabricatores substrati fabricant novum uasculum thermarum campi processus designandi cum graphitis graphitis raris: ponentes altam puritatem SiC particulam rudis materiae inter murum graphite rotundum et graphite cylindricum rari, dum totum uasculum altius auget ac diametrum a......
Lege plus
Plasma Processus in CVD Operations
Depositio Vaporis chemica (CVD) ad technologiam processum refertur, ubi multiplex reactatio gaseosa in variis pressionibus partialibus chemicam reactionem sub certis conditionibus temperaturae et pressionis subeunt. Substantia inde solida in superficie materiae substratae deponit, inde cinematograph......
Lege plus
Silicon Epitaxial Strati and Substrates in Semiconductor Vestibulum
In modernis electronicis, optoelectronics, microelectronicis, et campis technologicis informationibus, semiconductoribus subiectae et technologiae epitaxiales necessariae sunt. Firmum fundamentum praebent ad summus perficientur fabricandas, summus certarum machinarum semiconductorium. Cum technologi......
Lege plus
Nulla materia scelerisque ager
Processus incrementi siliconis monocrystallini praedominanter occurrit in campo scelerisque, ubi qualitas ambitus scelestae signanter impactus qualitatem crystallinam et efficientiam auget. Consilium campi scelerisque munere funguntur munere fungens in gradibus calidis et dynamicis gasi intra camera......
Lege plus
