Silicon carbide ceramicae plurimae utilitates in fibra optica industriae, inclusa stabilitate summus temperaturae, humilis scelerisque expansio coefficiens, humilis iactura et damnum limen, vires mechanica, corrosio resistentia, bonum scelerisque conductivity, et humilis dielectricae constant. Hae p......
Lege plusHistoria carbidi pii (SiC) ad 1891 redit, cum Edward Goodrich Acheson accidens eam reperit dum adamantes artificiales synthesare conatur. Acheson mixturam argillae (aluminosilicatae) et puluerem coci (carboni) in fornace electrica calefacta est. Pro adamantibus expectatis, clarum viride crystallum c......
Lege plusCrystal incrementum est nucleus nexus in productione Silicon Carbide subiecta, et nucleus instrumenti est fornax cristallina incrementum. Crystallinus silicon-gradus similis traditionalis fornacibus cristalli incrementis, fornax structura non valde complexa est et maxime consistit in corpore fornaci......
Lege plusTertia-generatio bandgap latae materiae semiconductoris, sicut Gallium Nitride (GaN) et Silicon Carbide (SiC), nominantur propter eximiam conversionem optoelectronic et proin insignem facultatem transmissionis. Hae materiae exigentiis postulationibus frequentiae, summus irae, summus potentiae, elect......
Lege plusNavicula SiC, brevis navi carbidi Pii, est summus temperatus-repugnans accessoriae in tubulis fornacibus adhibitus ad lagana per processum altum temperatura portandum. Ob praestantes proprietates carbidis Pii, sicut resistentia ad caliditates, corrosiones chemicas, et optimae stabilitatis scelerisqu......
Lege plusIn statu, plerique SiC fabricatores substrati fabricant novum uasculum thermarum campi processus designandi cum graphitis graphitis raris: ponentes altam puritatem SiC particulam rudis materiae inter murum graphite rotundum et graphite cylindricum rari, dum totum uasculum altius auget ac diametrum a......
Lege plus