Explicatio 3C-SiC, notabilis polytypum carbidi pii, continuam progressionem scientiae materialis semiconductoris reddit. Annis 1980s, Nishino et al. primum effectum cinematographicum 4 µm crassum 3C-SiC in substratum siliconis utens depositione vaporum chemicorum (CVD) [1], fundamento technologiae 3......
Lege plusCrassae, summae carbidi pii puritatis (SiC) stratae, 1mm typice excedentes, criticae partes in variis applicationibus summi pretii sunt, inter fabricationem semiconductorem et technologias aerospace. Articulus hic in Depositionem Vaporis Chemical (CVD) processum habet ad tales stratas producendos, i......
Lege plusUnius Pii crystalli et pii polycrystallini singulae suas habent utilitates singulares et missiones applicabiles. Unius Pii cristallus electronicis productis et microelectronicis ob excellentes electricis et mechanicis proprietatibus suis praestantibus obeundos convenit. Pii Polycrystallinus, ex alte......
Lege plusIn praeparatione lagani duo nexus nuclei sunt: unus est praeparatio subiecta, alter exsecutio processus epitaxialis. Subiectum, laganum diligenter ex semiconductore unius materiae crystalli confectum, protinus in laganum processum fabricandi ut basis ad machinas semiconductores producendas, vel ad......
Lege plusDepositio Vaporis chemica (CVD) est depositio cinematographica tenuis mobilis versatilis in industria semiconductoris late adhibita ad fabricandum qualitatem altam, conformia membrana tenuia in variis subiectis. Hic processus chemicas reactiones praecursorum gaseorum in superficie subiecta calidis i......
Lege plus